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高灵敏度

  • 高精度数字跟踪式压电陶瓷驱动电源设计

    设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源,驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器,通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算,实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。

    标签: 高精度 数字跟踪 压电陶瓷 驱动

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:aeiouetla

  • 电传动车辆用高功率锂离子电池性能分析研究

    为研究功率型锂离子电池性能,对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析,由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明,低温下电池的充放电内阻较大,充放电性能衰减显著;常温下电池的内阻较小,充放电温升较小,大电流充放电的容量稳定性好,质量比能量高,作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。

    标签: 电传 性能分析 高功率 锂离子电池

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:清风冷雨

  • 高精度数控直流电流源的设计与实现

    种高精度数控直流电流源的设计与实现

    标签: 高精度 数控直流 电流源

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:时代电子小智

  • FSK-CC1101大功率收发模块

    CC1101 是集FSK/ASK/OOK/MSK调制方式于一体的高功率、性能 收发模块。它提供扩展硬件支持实现信息包处理、数据 缓冲、群发射、空闲信道评估、链接质量指示和无线唤 醒,可以采用曼彻斯特编码进行调制解调它的数据流。 性能优越并且易于应用到你的产品设计中,它可以应用在 RT-001-CC1101 315/433/868/915MHz ISM/SRD频段的系统中,它可以应用在比如消费类电子产品、自动抄表系统、 双向防盗器等等。 该型号最大的有点在于模块内部采用大功率PA及LNA架构,且采用电子开关及控制线路根据客户 的需求达到远距离传输数据。发射功率可通过外部电源来设置,最大发射功率可以达到1W。超远距 离方案应用的最佳选择。 1.1 基本特性 ●省电模式下,低电流损耗 ●方便投入应用 ●高效的串行编程接口 ●工作温度范围:﹣40℃~+85℃ ●工作电压:1.8~ 3.6 Volts. ●有效频率:300-348Mhz, 400-464Mhz,800-928Mhz ●灵敏度高、输出功率高且可编程

    标签: FSK-CC 1101 大功率 收发模块

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:1234xhb

  • 宽输入范围1A LED驱动器利用汽车和12V AC电源给高亮度LED供电

    LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅動器,具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍,並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流

    标签: LED 12V AC电源

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:xhwst

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:thesk123

  • 高电压降压型转换器驱动高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。

    标签: LED 高电压 降压型转换器 驱动高功率

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:playboys0

  • 基于LabVIEW的高精度电流源设计与实现

    基于LabVIEW的高精度电流源设计与实现

    标签: LabVIEW 高精度 电流源设计

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:cuiyashuo

  • 高电源抑制比带隙基准电路设计

    介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电路设计

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:642778338

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao