本应用报告描述了一个具有宽电压输入的智能电池充电器。其中的参考设计实现了在MSP430微控制器和兼容SMBus的电池电量计之间进行通信的系统管理总线（SMBus）协议。MSP430 器件通过SMBus 从电量计获取电压、电流和其它一些参数，之后通过调节输出到dc/dc变换器模块的PWM 占空比来传递电池所需的电量。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：1427796291
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
金属的化学腐蚀是由于金属与电解质溶液接触时，金属表面的各个部位存在着一定的电位差，形成腐蚀原电池，其中电位较低的部份成为阳极，电位较高的部位成为阴极，电子在金属中由阳极流向阴极，而电解质中的阴极去极化剂(例如0：、H )将电子从阴极除去，因此阳极不断溶解M +M。 e，使腐蚀不断继续下去，
上传时间： 2013-11-15
上传用户：wdq1111
AT89S52单片机组成的0-500kHz频率计，C代码
上传时间： 2013-11-23
上传用户：cange111
8位十进制显示数字频率计(带周期)设计报告
上传时间： 2014-12-24
上传用户：onewq
基于51单片机的数字频率计资料
上传时间： 2014-12-24
上传用户：cylnpy
频率计的设计有多种方式，本文阐述一种基于STC89C52RC单片机设计频率计的方法。并详细介绍了基于STC89C52RC单片机的频率计的硬件构成、电路设计、软件设计流程。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：1397412112
卡尔曼滤波（非矩阵）参考程序
上传时间： 2013-11-18
上传用户：ch3ch2oh
导波雷达物位计是一种利用时域反射原理实现的高性能物位计。为了实现导波雷达物位计这一高精度时差测量系统，采用了CPLD和MSP430单片机协同工作的电路设计。CPLD为信号收发模块的核心，为发射电路中提供窄脉冲产生电路的周期触发信号，并在接收电路中控制可编程延时器件AD9500实现等效时间采样，把高频的回波脉冲信号在时间轴上放大为低频信号。以MSP430为核心的信号处理模块根据收发模块传来的信号计算物位，并把物位信息以4~20 mA信号、串口等方式输出，同时MSP430还对液晶屏、按键等外围器件进行控制。实际试验表明系统各模块的工作状态与理论分析相符。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：hphh
基于51单片机~单片机频率计
上传时间： 2013-11-18
上传用户：hzht
