雪崩击穿
雪崩击穿是半导体器件中一种重要的物理现象，当反向电压达到一定值时，少数载流子在强电场作用下加速并碰撞产生大量电子-空穴对，导致电流急剧增加。该技术广泛应用于高压整流器、稳压管及保护电路设计中。深入理解雪崩击穿机制对于提升电力电子设备性能至关重要。本页面汇集了44个精选资源，涵盖理论分析与实际应用案例...
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雪崩击穿 热门资料
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IEEE 文献 Fully Integrated Single Photon Avalanche Diode Detector in Standard CMOS 0.18-μm Technology
2025-12-31
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电磁炉IGBT管击穿原因
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足...
2022-06-22
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单光子雪崩二极管猝熄电路的发展
单光子雪崩二极管（SPAD）是工作在击穿电压上的雪崩二极管（APD）。对于极弱光学信号的探测，例如超高音速飞行器早期预警的应用，SPAD可能是理想的探测器选择。
2022-11-22
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