多电平PWM控制技术是多电平变换器的核心内容，多电平PWM控制方法一般有多电平载波PWM控制方法，多电平空间矢量PWM控制方法，以及其他的优化PWM控制方法，本文对已有的多电平PWM控制方法进行了归纳和分析。
上传时间： 2013-10-29
上传用户：yangzhiwei
伺服与变频：伺服与变频的一个重要区别是: 变频可以无编码器,伺服则必须有编码器,作电子换向用. 一、两者的共同点： 交流伺服的技术本身就是借鉴并应用了变频的技术，在直流电机的伺服控制的基础上通过变频的PWM方式模仿直流电机的控制方式来实现的，也就是说交流伺服电 机必然有变频的这一环节：变频就是将工频的50、60HZ的交流电先整流成直流电，然后通过可控制门极的各类晶体管（IGBT，IGCT等）通过载波频率 和PWM调节逆变为频率可调的波形类似于正余弦的脉动电，由于频率可调，所以交流电机的速度就可调了（n=60f/2p ，n转速，f频率， p极对数） 二、谈谈变频器： 简单的变频器只能调节交流电机的速度，这时可以开环也可以闭环要视控制方式和变频器而定，这就是传统意义上的V/F控制方式。现在很多的变频已经通过数学 模型的建立，将交流电机的定子磁场UVW3相转化为可以控制电机转速和转矩的两个电流的分量，现在大多数能进行力矩控制的著名品牌的变频器都是采用这样方 式控制力矩，UVW每相的输出要加摩尔效应的电流检测装置，采样反馈后构成闭环负反馈的电流环的PID调节；ABB的变频又提出和这样方式不同的直接转矩 控制技术，具体请查阅有关资料。这样可以既控制电机的速度也可控制电机的力矩，而且速度的控制精度优于v/f控制，编码器反馈也可加可不加，加的时候控制 精度和响应特性要好很多。 三、谈谈伺服： 驱动器方面：伺服驱动器在发展了变频技术的前提下，在驱动器内部的电流环，速度环和位置 环（变频器没有该环）都进行了比一般变频更精确的控制技术和算法运算，在功能上也比传统的伺服强大很多，主要的一点可以进行精确的位置控制。通过上位控制 器发送的脉冲序列来控制速度和位置（当然也有些伺服内部集成了控制单元或通过总线通讯的方式直接将位置和速度等参数设定在驱动器里），驱动器内部的算法和 更快更精确的计算以及性能更优良的电子器件使之更优越于变频器。 电机方面：伺服电机的材料、结构和加工工艺要远远高于变频器驱动的交流电机 （一般交流电机或恒力矩、恒功率等各类变频电机），也就是说当驱动器输出电流、电压、频率变化很快的电源时，伺服电机就能根据电源变化产生响应的动作变 化，响应特性和抗过载能力远远高于变频器驱动的交流电机，电机方面的严重差异也是两者性能不同的根本。就是说不是变频器输出不了变化那么快的电源信号，而 是电机本身就反应不了，所以在变频的内部算法设定时为了保护电机做了相应的过载设定。当然即使不设定变频器的输出能力还是有限的，有些性能优良的变频器就 可以直接驱动伺服电机！！！ 四、谈谈交流电机： 交流电机一般分为同步和异步电机 1、交流同步电机：就是转子是由永磁材料构成，所以转动后，随着电机的定子旋转磁场的变化，转子也做响应频率的速度变化，而且转子速度=定子速度，所以称"同步"。 2、交流异步电机：转子由感应线圈和材料构成。转动后，定子产生旋转磁场，磁场切割定子的感应线圈，转子线圈产生感应电流，进而转子产生感应磁场，感应 磁场追随定子旋转磁场的变化，但转子的磁场变化永远小于定子的变化，一旦等于就没有变化的磁场切割转子的感应线圈，转子线圈中也就没有了感应电流，转子磁 场消失，转子失速又与定子产生速度差又重新获得感应电流。。。所以在交流异步电机里有个关键的参数是转差率就是转子与定子的速度差的比率。 3、对应交流同步和异步电机变频器就有相映的同步变频器和异步变频器，伺服电机也有交流同步伺服和交流异步伺服，当然变频器里交流异步变频常见，伺服则交流同步伺服常见。
标签： 伺服
上传时间： 2013-11-17
上传用户：maqianfeng
电动加载系统存在系统不确定性因素，以及多余力矩。为更好解决由不确定性因素和扰动引起的系统控制问题，提出了基于前馈补偿加鲁棒控制的控制方法，针对舵机运动对加载系统跟踪性能的影响，应用前馈控制对舵机运动扰动进行补偿。通过仿真，揭示了控制器设计中的设计依据，结果表明该方法所设计系统具有很好的鲁棒性，以及很好的抑制多余力矩能力。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：a296386173
该文介绍了一种电离层垂测仪的设计方法，分析了发射信号的选择要求，给出了实际电路模块。系统利用FPGA的 IP核DDS产生正弦载波信号，经巴克码调相后，通过DAC和功放产生发射信号；接收机采用射频开关和直接ADC采样技术采集回波信号，避免了模拟正交解调时相位不平衡产生的问题。通过外场实验验证，表明该设计是切实可行，具有较好的实用价值。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：tdyoung
有关线和负载瞬态响应的电源指标说明了电源对于突变的线电压和负载电流的响应情况。监视电源在这样的瞬态过程中试图维持稳定的行为，你会观察到输出发生过冲或振荡的趋势。 线和负载瞬态过程实际上是一个向电源注入扰动的阶跃函数。负载瞬态过程通过一个阶跃的负载电流向输出注放扰动，而线瞬态过程则是利用一阶跃的线电压达到这一目的，电源的输出响应展现了它对于线或负载阶跃中不同频率分量的扰动的抑制能力，下面的讨论描述了这些测试，以及它们所揭示有关电源的一些信息。
上传时间： 2014-01-12
上传用户：wangzhen1990
针对直接转矩控制（DTC）技术中采用的传统滞环控制存在转矩及电流脉动大，过电压扇区时磁链轨迹畸变的缺点，提出一种基于定子磁链矢量预测的直接转矩控制方法。首先，根据磁链和转矩的偏差，预测出下一个控制周期的磁链矢量；然后，用预测磁链矢量减去当前的磁链矢量，得到需要加在电机定子上的电压矢量，以补偿当前的偏差。通过仿真说明了改进的系统抑制了磁链和转矩脉动，改善了电流波形，抑制了谐波，具有较好的动静态性能。
上传时间： 2013-11-25
上传用户：ommshaggar
无论是高压系统还是低压系统，电力系统中性点采用电阻接地的方式越来越普遍。奥兰电气中性点电阻可以限制接地过电压和过电流限制在安全范围内、提高继电保护灵敏度，同时自身造价相对较低，运行持久安全，安装灵活方便。中性点接地电阻柜可将零散的单相变压器、电阻器、隔离开关、电流互感器、温控器、计数器、接地监控（记录）装置、接地故障查找装置.接地保护输出端子等电器设备整体组合在一个封闭金属柜内成套供货；配备电流互感器和动作记录仪，正常时可监视中性点不平衡电流，出现单相接地故障时，可记录动作次数，且可为保护和监控系统提供模拟量输出；装设单相隔离开关，以便在进行检修或实验时隔离电源。接地故障查找装置可以迅速查找到接地故障点以便人工排除接地故障。如果系统变压器采用三角形接线，本产品则加三相接地变压器与之配合使用，对抑制系统过电压、防止各种冲击有很好的作用
上传时间： 2013-11-05
上传用户：ainimao
GDCM型绕线共模电感器 一 特征 绕线贴片结构，尺寸小 对高频共模噪声具有良好的抑制效果 良好的可焊接性和耐焊接性，无铅符合ROSE 二 用途 PC机及周边外设的USB接口、LCD的LVDS线 三 外观尺寸 四 规格命名
上传时间： 2013-11-14
上传用户：18752787361
当RS-485用于多主通信的总线系统时，多个主机同时发送数据，将会导致数据冲突。为了避免冲突发生，介绍了一种RS-485电路，用简单硬件实现了总线状态的检测，大大降低了数据冲突概率。另外，为了避免总线上的干扰信号影响系统设备，通常需要实现总线与设备内部电路隔离，为此，文中提出了一种新的RS-485电路隔离方案。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：思索的小白
已通过CE认证。（为什么要选择经过CE认证的编程器？） 程速度无与伦比,逼近芯片理论极限。 基本配置48脚流行驱动电路。所选购的适配器都是通用的（插在DIP48锁紧座上），即支持同封装所有类型器件，48脚及以下DIP器件无需适配器直接支持。通用适配器保证快速新器件支持。I/O电平由DAC控制，直接支持低达1.5V的低压器件。 更先进的波形驱动电路极大抑制工作噪声,配合IC厂家认证的算法,无论是低电压器件、二手器件还是低品质器件均能保证极高的编程良品率。编程结果可选择高低双电压校验,保证结果持久稳固。 支持FLASH、EPROM、EEPROM、MCU、PLD等器件。支持新器件仅需升级软件（免费）。可测试SRAM、标准TTL/COMS电路，并能自动判断型号。 自动检测芯片错插和管脚接触不良,避免损坏器件。 完善的过流保护功能,避免损坏编程器。 逻辑测试功能。可测试和自动识别标准TTL/CMOS逻辑电路和用户自定义测试向量的非标准逻辑电路。 丰富的软件功能简化操作，提高效率，避免出错，对用户关怀备至。工程（Project）将用户关于对象器件的各种操作、设置，包括器件型号设定、烧写文件的调入、配置位的设定、批处理命令等保存在工程文件中，每次运行时一步进入写片操作。器件型号选择和文件载入均有历史（History）记录，方便再次选择。批处理（Auto）命令允许用户将擦除、查空、编程、校验、加密等常用命令序列随心所欲地组织成一步完成的单一命令。量产模式下一旦芯片正确插入CPU即自动启动批处理命令，无须人工按键。自动序列号功能按用户要求自动生成并写入序列号。借助于开放的API用户可以在线动态修改数据BUFFER，使每片芯片内容均不同。器件型号选错，软件按照实际读出的ID提示相近的候选型号。自动识别文件格式, 自动提示文件地址溢出。 软件支持WINDOWS98/ME/NT/2000/XP操作系统（中英文）。 器件型号 编程(秒) 校验(秒) P+V (s) Type 28F320W18 9 4.5 13.5 32Mb FLASH 28F640W30 18 9 27 64Mb FLASH AM29DL640E 38.3 10.6 48.9 64Mb FLASH MB84VD21182DA 9.6 2.9 12.5 16Mb FLASH MB84VD23280FA 38.3 10.6 48.9 64Mb FLASH LRS1381 13.3 4.6 19.9 32Mb FLASH M36W432TG 11.8 4.6 16.4 32Mb FLASH MBM29DL323TE 17.5 5.5 23.3 32Mb FLASH AT89C55WD 2.1 1 3.1 20KB MCU P89C51RD2B 4.6 0.9 5.5 64KB MCU
上传时间： 2013-11-21
上传用户：xiaoyuer
