基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺
对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究,该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势,是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)...
对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究,该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势,是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)...
ADXL345是一款小巧纤薄的低功耗三轴加速度计,可以对高达±16 g的加速度进行高分辨率(13位)测量。数字输出数据为16位二进制补码格式,可通过SPI(3线或4线)或者I2C数字接口访问。 ...
ADIS16480是一款MEMS惯性测量单元(IMU),内置一个三轴加速度计、一个三轴陀螺仪、一个三轴磁力计和一个气压计。除了提供完全校准、帧同步的惯性MEMS传感器,ADIS16480还集成了一个扩展卡尔曼滤波器(EKF),可计算动态方位角。 ...
通过单个加速度计增强计步器的性能 ...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变...