分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：hz07104032
我也是下别人的，内容涵盖了许多模拟电路的基本知识，如半导体，场效应管，集成运算放大器，低频功率放大电路，等等，很不错的
标签： 模拟电路教程
上传时间： 2013-12-21
上传用户：离殇
基于STM32、STM8处理器，设计完成了万能试验机的多个功能模块。为了提高小信号的采集精度与速度，用多处理器设计了一种混合式的锁相放大器，并运用数字处理进行进一步处理，具有很高的性价比。在位移信号采集中，运用STM8S实现了低成本的设计。实验表明，本系统在速度与精度上满足万能试验机要求，总体性价比高。
上传时间： 2013-12-26
上传用户：lili123
讨论一种多路径向功率分配合成器的设计及其阻抗匹配问题, 这种功率分配器和合成器合成效率高, 是固态功率合成的理想途径。
上传时间： 2013-12-24
上传用户：linyao
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术，该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一，其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。
上传时间： 2013-10-25
上传用户：boyaboy
氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：hphh
运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：dvfeng
本教程旨在考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，本讨论适用于电压反馈(VFB)型运算放大器——电流反馈(CFB)型运算放大器将在以后的教程(MT-034)中讨论。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：大三三
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。
上传时间： 2014-01-07
上传用户：归海惜雪
