📚 等效电阻率技术资料

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📚 等效电阻率全部资料 (2743个)

为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由...

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针对室内CCD交汇测量的试验环境，通过添加辅助光源照明，在基于CCD立靶测量原理的条件下，分析了室内立靶影响捕获率的原因，并建立了室内立靶的捕获率模型。该模型能够为室内立靶测量系统的捕获率计算和研究提...

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I2C 的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K. ...

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　　虚短和虚断的概念 　　由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV...

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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。 关键词: 时钟分相技术; 应用 中图分类号: TN 79　　文献标识码:A 　　文章编号: 025820934 (2...

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由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰(EMI)抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁...

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