学习模拟电子的基础，主要是二极管、三极管、MOS管的基础知识，对理解这些非常的有帮助，不看后悔吧
上传时间： 2013-11-22
上传用户：maizezhen
§10.1 直流电源的组成及作用 §10.2 整流电路 §10.3 滤波电路 §10.4 稳压二极管稳压电路 §10.5 串联型稳压电路 §10.6 开关型稳压电路
标签： 直流电源
上传时间： 2013-10-16
上传用户：1234567890qqq
pn结的形成及三极管的工作原理动画
上传时间： 2013-10-16
上传用户：咔乐坞
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
Most circuit designers are familiar with diode dynamiccharacteristics such as charge storage, voltage dependentcapacitance and reverse recovery time. Less commonlyacknowledged and manufacturer specifi ed is diode forwardturn-on time. This parameter describes the timerequired for a diode to turn on and clamp at its forwardvoltage drop. Historically, this extremely short time, unitsof nanoseconds, has been so small that user and vendoralike have essentially ignored it. It is rarely discussed andalmost never specifi ed. Recently, switching regulator clockrate and transition time have become faster, making diodeturn-on time a critical issue. Increased clock rates aremandated to achieve smaller magnetics size; decreasedtransition times somewhat aid overall effi ciency but areprincipally needed to minimize IC heat rise. At clock speedsbeyond about 1MHz, transition time losses are the primarysource of die heating.
上传时间： 2013-10-10
上传用户：谁偷了我的麦兜
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：tdyoung
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研究，找出有效的解决办法。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：youth25
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连接器的研究，阐述其原理，从而指导大家在设计的时候对整个电气路径进行完整地分析，即从驱动端内部IC芯片的焊盘到接受器IC芯片的焊盘。
标签： High-Speed Digital System desi
上传时间： 2013-11-24
上传用户：maizezhen
OPTOELECTRONICS CIRCUIT COLLECTION AVALANCHE PHOTODIODE BIAS SUPPLY 1Provides an output voltage of 0V to +80V for reverse biasingan avalanche photodiode to control its gain. This circuit canalso be reconfigured to supply a 0V to –80V output.LINEAR TEC DRIVER–1This is a bridge-tied load (BTL) linear amplifier for drivinga thermoelectric cooler (TEC). It operates on a single +5Vsupply and can drive ±2A into a common TEC.LINEAR TEC DRIVER–2This is very similar to DRIVER–1 but its power output stagewas modified to operate from a single +3.3V supply in orderto increase its efficiency. Driving this amplifier from astandard +2.5V referenced signal causes the output transistorsto have unequal power dissipation.LINEAR TEC DRIVER–3This BTL TEC driver power output stage achieves very highefficiency by swinging very close to its supply rails, ±2.5V.This driver can also drive ±2A into a common TEC. Operationis shown with the power output stage operating on±1.5V supplies. Under these conditions, this linear amplifiercan achieve very high efficiency. Application ReportThe following collection of analog circuits may be useful in electro-optics applications such as optical networkingsystems. This page summarizes their salient characteristics.
上传时间： 2013-10-27
上传用户：落花无痕
