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电容器保护

  • 具有遥控功能的负载保护器

    负载保护电路

    标签: 遥控功能 负载保护器

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:wangzhen1990

  • COOLMOS__ICE2A系列的应用研究

    由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全;电路结构简单;能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗,故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。

    标签: COOLMOS ICE 应用研究

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:chenjjer

  • ESD电热模拟分析

    静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。

    标签: ESD 电热 模拟分析

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:二十八号

  • 基于HVS的空域分块数字水印技术

     数字水印作为一种防护技术,在数字产品的保护认证方面越发显得重要,成为当前计算机领域研究的热点问题之一。提出了一种在空域采用分块重复嵌入水印信息和HVS相结合的水印技术。实验结果说明,分块技术在空域的使用提高了水印的嵌入强度和降低计算复杂度,该算法在抵抗旋转、裁剪、缩放方面等有较强能力;水印算法与HVS技术的有效性相结合,数字水印具有很好的掩蔽性。

    标签: HVS 分块 数字水印技术

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:qwerasdf

  • x电容和y电容介绍

    X电容是指跨于L-N之间的电容器, Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).

    标签: 电容

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:haohao

  • CMOS器件抗静电措施的研究

    由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。

    标签: CMOS 器件 抗静电

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:yupw24

  • 开关稳压器电路的效率特性分析

    开关稳压器使用输出级,重复切换“开”和“关”状态,与能量存贮部件(电容器和感应器)一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。

    标签: 开关稳压器 电路 效率 特性分析

    上传时间: 2013-11-24

    上传用户:debuchangshi

  • ARK-8017DHI 16位8路差分模拟量输入模块

    为提高产品的可靠性、设计和功能,本文所有信息若有变更,恕不提前通知。本文信息也不作为厂商的任何承诺。 任何情况下,包括已警告了的各种损坏的可能性,厂商均不负责直接的、非直接的、特殊的或偶然的因不正当使用本产品或文件所造成的损坏。 本文包含受版权保护的信息,版权所有。未经厂商书面同意,不得以机械的、电子的或其它任何方式进行复制。

    标签: 8017 ARK DHI 8路

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:坏坏的华仔

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不断缩小,金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄,MOS 管能承受的电流和电压也越来越小,因此要进一步优化电路的抗ESD 性能,需要从全芯片ESD 保护结构的设计来进行考虑。

    标签: Construction Strategy ESD of

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:Aidane

  • 电路分析基础-ppt教程

    第一章  基 础 知 识由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。1.1  电路与电路模型1.2  电路分析的基本变量1.3  电阻元件和独立电源元件1.4  基尔霍夫定律1.5  受  控  源1.6  两类约束和KCL,KVL方程的独立性1.1  电路与电路模型1.电路2.电路的形式与功能 电路的功能基本上可以分成两大类。一类是用来实现电能的转换、传输和分配。电路的另一类功能则是在信息网络中,用来传递、储存、加工和处理各种电信号。  图1-2所示的是通信网的基本组成框图。通常把输入电路的信号称为激励,而把经过电路传输或处理后的信号称为响应。 3.电路模型与集中电路 构成电路的设备和器件统称为电路部件,常用的电路部件有电池、发电机、信号发生器、电阻器、电容器、电感线圈、变压器、晶体管及集成电路等。 基本的电路参数有3个,即电阻、电容和电感。  基本的集中参数元件有电阻元件、电感元件和电容元件,分别用图1-3(a),(b)和(c)来表示。

    标签: 电路分析基础 教程

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:1966649934