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Construction Strategy of ESD P - 资源详细说明
Construction Strategy of ESD Protection Circuit
Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
ions of ESD protection design are presented.
Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path
1 引言
静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。
它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半
导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，
金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管
能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全芯片
ESD 保护结构的设计来进行考虑。
Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
ions of ESD protection design are presented.
Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path
1 引言
静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。
它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半
导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小，
金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管
能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗ESD 性能，需要从全芯片
ESD 保护结构的设计来进行考虑。
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