图1所示电路采用digiPOT+系列数字电位计AD5292、双通道运算放大器ADA4091-2和基准电压源ADR512，提供一种低成本、高电压、单极性DAC。该电路提供10位分辨率，输出电压范围为0 V至30 V，能够提供最高±20 mA的输出电流。AD5292可以通过SPI兼容型串行接口编程。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：yuhaihua_tony
运算放大器，开环电压增益AVOL的定义与量测方法。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：rtsm07
为了测量某试件多点温度，且温度跨度很大，还要达到要求精度，本文利用几种不同类型的传感器（AD590、PT1000和K型热电偶）进行采集，其输出形式（电流源、电阻和热电势）和大小均不相同，设计了电源电路、信号转换电路和放大抬升电路，使各种传感器的输出达到统一的1～5 V的标准信号；在实验室利用高精度电压、电流源和电阻箱分别对热电偶、AD590和PT1000进行模拟，结果表明该方法可行，调理电路的相对精度可达到0.1级。
上传时间： 2013-12-11
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针对混频器在接收机电路中的重要性，设计实现了一种基于F1596的乘积型混频器电路。为使该电路能够输出频率稳定的信号，在电路设计中采用鉴频器取样控制VCO产生的本振信号，使该电路具有频谱纯净、失真度小、输出稳定等优点，满足了接收机混频器的使用要求。
上传时间： 2014-01-18
上传用户：shen954166632
交流电压，电流转换器 特点： 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 输出反应时间: <250ms (0~90%) 输出负载能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 输出涟波: <0.1% F.S. 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行动测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波测试: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-11-09
上传用户：非衣2016
用ADC0832设计的两路电压表1 源代码
上传时间： 2014-01-05
上传用户：momofiona
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输，广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统，4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制，小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置，可接入多种传感器类型，包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离，信号隔离、线性化，a/d转换和rs-485串行通信等模块。每个串口最多可接256只iso ad系列模块，通讯方式采用ascii 码字符通讯协议或modbus rtu通讯协议，其指令集兼容于adam模块，波特率可由用户设置，能与其他厂家的控制模块挂在同一rs-485总线上，便于主机编程。 isoad系列产品是基于单片机的智能监测和控制系统，所有用户设定的校准值，地址，波特率，数据格式，校验和状态等配置信息都储存在非易失性存储器eeprom里。 isoad系列产品按工业标准设计、制造，信号输入 / 输出之间隔离，可承受3000vdc隔离电压，抗干扰能力强，可靠性高。工作温度范围- 45℃～+80℃。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：comer1123
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2kω）能实现小信号远程无失真的传输。 ic内部可采用陶瓷基板、印刷电阻全smt的可靠工艺制作及使用新技术隔离措施，使器件能满足信号输入/输出/辅助电源之间3kv三隔离和工业级宽温度、潮湿震动等现场环境要求。外接满度校正和零点校正的多圈电位器可实现 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信号之间的隔离和转换。（精度线性高，隔离电压3000vdc）
上传时间： 2014-12-23
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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
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