本手册包含基本的半导体背景知识，能够让读者对应用可能性与应用限制有更好的了解。封装技术与组装技术是影响模块性能与现场应用限制的主要因素，书中对此进行了深入阐释。文章中还论述了可靠性数据、生命周期分析以及关键的测试过程。本应用手册对数据表结构也进行了解释，并提供注释，能够帮助用户更好地理解数据表参数。书中涵盖详细的应用相关信息，包括：重要运行条件下的电气配置，半导体驱动器与保护元件；确定热尺寸与冷却，并联与串联诀窍，寄生元件优化功率布局的组装诀窍，以及具体环境条件下的要求。本书面向用户，为部件选择和设计工作提供帮助。宝贵的专业经验与详尽的实用知识相结合，书中汇总了迄今为止各类论文及专家意见中的大量精粹信息。
标签： 功率半导体
上传时间： 2022-01-22
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PW4065 是一款完整的单节锂电池充电器，带电池正负极反接保护、 输入电源正负极反接保护的芯片，兼容大小 3mA-600mA 充电电流。 PW4065 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压可分为两档： 4.35V、 4.2V。充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到预设电压之后，充电电流降至设定值 1/10， PW4065 将自动终止充电。当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时， PW4065 自动进入一个低电流状态，电池漏电流在 1μA 以下。 PW4065 的其他特点包括电源自适应、 欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电状态的引脚。PW4065 采用 SOT23-5L 封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品
标签： pw4065
上传时间： 2022-02-11
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PW4054 是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。PW4054 适合给 USB 电源以及适配器电源供电。基于特殊的内部 MOSFET 架构以及防倒充电路， PW4054 不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压固定在 4.2V，而充电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值的 1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时， PW4054 进入睡眠状态，电池漏电流将降到 1uA 以下。 PW4054 还可以被设置于停机模式，此时芯片静态电流降至 25uA。PW4054 还包括其他特性：欠压锁定，自动再充电和充电状态标志。PW4054 采用 SOT23-5L 封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品
标签： pw4054
上传时间： 2022-02-11
上传用户：jason_vip1
LT3095MPUDD双通道低噪声偏置发生器的典型应用电路凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双通道 IC LT3095，该器件从单一输入提供两路非常低噪声、低纹波的偏置电源。每个通道都纳入了单片升压型 DC/DC 转换器，一个集成的超低噪声和高 PSRR (电源抑制比) 线性稳压器对该转换器进行了后置稳压。LT3095 在输出电压高达 20V 时提供高达 50mA 的连续输出电流，总纹波和噪声 <100µVP-P。该器件在 3V 至 20V 输入电压范围内工作，从而可与多种电源兼容。 LT3095 的固定频率、峰值电流模式升压型 DC/DC 转换器包括一个集成的 950mA 电源开关、肖特基二极管和内部频率补偿。开关频率在 450kHz 至 2MHz 内可通过单个电阻器编程，或可同步至一个外部时钟，因此允许使用纤巧的外部组件。结合紧凑的 3mm x 5mm QFN 封装，LT3095 可提供简单、占板面积紧凑、高效率的解决方案，适用于仪表放大器、RF 和数据转换系统、以及其他低噪声偏置应用。 LT3095 的线性稳压器运用凌力尔特专有的电流源基准架构，从而提供了很多优势，例如能够用单个电阻器设定输出电压，带宽、噪声、PSRR 和负载调节性能基本上不受输出电压影响。集成输出噪声 (在 10Hz 至 100kHz 带宽) 仅为 4µVRMS，而且在整个开关频率范围内 PSRR 超过70dB，从而使总的噪声和纹波 <100µVP-P。线性稳压器调节升压型转换器的输出电压，使其比线性稳压器输出电压高 2V，从而优化了功耗、瞬态响应和 PSRR 性能。为了提高系统可靠性，LT3095 提供短路和热保护，还为每个通道提供独立和精确的使能 / UVLO 门限。微功率工作时，两个 EN 引脚均被拉低。
标签： 噪声偏置发生器
上传时间： 2022-02-15
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本资料包含完整的GJB150A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150A-2009中华人民共和国国家军用标准代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 军用装备实验室环境试验方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 军用装备实验室环境试验方法第2部分:低气压（高度）试验（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.7A-2009 军用装备实验室环境试验方法第7部分:太阳辐射试验（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 军用装备实验室环境试验方法第8部分:淋雨试验（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.11A-2009 军用装备实验室环境试验方法第11部分 盐雾试验（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 军用装备实验室环境试验方法第12部分:砂尘试验（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.14A-2009 军用装备实验室环境试验方法第14部分:浸渍试验（代替GJB150.14-86）GJB150.15A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.16A-2009 军用装备实验室环境试验方法第16部分振动试验（代替GJB150.16-86）GJB150.17A-2009 军用装备实验室环境试验方法第17部分:噪声试验（代替GJB150.17-86）GJB150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.20A-2009 军用装备实验室环境试验方法第20部分:炮击振动试验（代替GJB150.20-86）GJB150.21A-2009 军用装备实验室环境试验方法第21部分:风压试验（代替GJB150.21-87）GJB150.22A-2009 军用装备实验室环境试验方法第22部分:积冰/冻雨试验（代替GJB150.22-87）GJB150.23A-2009 军用装备实验室环境试验方法第23部分:倾斜和摇摆试验（代替GJB150.23-91）GJB150.24A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.25A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.26A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.27A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.28A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.29A-2009 军用装备实验室环境试验方法第29部分:弹道冲击试验
标签： 实验室环境
上传时间： 2022-03-05
上传用户：wangshoupeng199
半导体物理学 刘恩科 第六版本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考丛编项：普通高等教育"十一五"国家级规划教材
标签： 半导体物理学
上传时间： 2022-03-19
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华为元器件降额规范标准，指导硬件工程师选择元器件时使用！
上传时间： 2022-03-22
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随着电力电子技术的飞速发展，高频开关电源由于其诸多优点已经广泛深入到国防、工业、民用等各个领域，与人们的工作、生活密切相关，由此引发的电网谐波污染也越来越受到人们的重视，对其性能，体积，效率，功率密度等的要求也越来越高。因此，研究具有高功率因数、高效率的ACDC变换技术，对于抑制谐波污染、节钓能源及实现绿色电能变换具有重要意义通过分析目前功率因数校正PFC）技术与直流变换（DcDC）技术的研究现状，采用了具有两级结构的AcDc变换技术，对PFC控制技术，直流变换软开关实现等内容进行了研究。前级PFC部分采用先进的单周期控制技术，通过对其应用原理、稳定性与优势性能的研究，实璄了主电路及控电路的参数设计与优化，简化了PFC控制电路结构、根据控制电路特点与系統环路稳性要求，完成了电流环路与整个控制环路设计，确保了系统稳定性，提高了系统动态响应。通过建立电路闭环仿真模型，验证了单周期控制抑制输入电压与负载扰动的优势性能及连续功率因数校正的优点，优化了电路参数后级直流变换主电路采用LLC谐振拓扑，通过变频控制使直流变换环节具有轼开关特性。分析了不同开关频率范围内电路工作原理，并建立了基波等效电路，采用基波分析法对VLc需城电路的电反增益性，输入阻抗持性进行了研究，确定了电路软开关工作范图。以基波分析结果为基础进行了合理的电路参数优化设计，保证了直流变换环节在全输入电压范围、全负载范围内能实现桥臂开关管零电压开通zVS}，较大范围内边整流二极管零电流关断区CS），并将谐振电路中的电压电流应力降到最小，极大的提高了系统效率同时，为了提高系统功率密度，选择了优化的磁性元器件结构，实现了谐振感性元件与变压器的磁性器件集成，大大减小了变换电路的体积在理论研究与参数设计的基础上，搭建了实验样机，分别对PFC部分和DcDC部分进行了实验验证与结果分析。经实验验证ACDc变换电路功率因数在0.988以上，直瓿变换电路能实现全范图软开关，实现了高效率AcDC变换。关键词：ACDC变换：功率因数校正：；高效率；LLC谐振电路：单周期控制
上传时间： 2022-03-24
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本文对PWM全桥软开关直流变换器进行了研究。具体阐述了PWM全桥ZS软开关直流变换器的工作原理和软开关的实现条件，就基本的移相控制FB ZVS PWM变换器存在的问题给予分析并对两种改进方案进行了研究：1、能在全部工作范围内实现零电压开关的改进型全桥移相zvs-PWM DCDC变换器，文中通过对其开关过程的分析，得出实现全负载范围内零电压开关的条件。采用改进方案设计了一台48V~6 VDC/DC变换器，实验结果证明其比基本的 ZVS-PWM变换器具有更好的软开关性能。2、采用辅助网络的全桥移相 ZVZCS-PWM DCDC变换器，文中具体分析了其工作原理及变换器特性，并进行实验研究随着电力电子技术的发展，功率变换器在开关电源、不间断电源、CPU电源照明、电机驱动控制、感应加热、电网的无功补偿和谐波治理等众多领域得到日益广泛的应用，电力电子技术高频化的发展趋势使功率变换器的重量大大减轻体积大大减小，提高了产品的性能价格比，但采用传统的硬开关技术，开关损耗将随着开关频率的提高而成正比地增加，限制了开关的高频化提高功率开关器件本身的开关性能，可以减少开关损耗，另一方面，从变换器结构和控制上改善功率开关器件的开关性能，可以减少开关损耗。如缓冲技术、无损缓冲技术、软开关技术等软开关技术在减少功率开关器件的开关损耗方面效果比较好，理论上可使开关损耗减少为零。12软开关技术的原理和类型功率变换器通常采用PwM技术来实现能量的转换。硬开关技术在每次开关通断期间功率器件突然通断全部的负载电流，或者功率器件两端电压在开通时通过开关释放能量，这种方式的工作状况下必将造成比较大的开关损耗和开关应力，使开关频率不能做得很高。软开关技术是利用感性和容性元件的谐振原理，在导通前使功率开关器件两端的电压降为零，而关断时先使功率开关器件中电流下降到零，实现功率开关器件的零损耗开通和关断，并且减少开关应力。
标签： 移相全桥
上传时间： 2022-03-29
上传用户：jason_vip1
静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理关键词：静电放电；网格；器件仿真；双极型晶体管；可控硅
上传时间： 2022-03-30
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