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灌电流

灌电流是外部电流通过芯片引脚向芯片内流入,这种说法一般用在数字电路中。
  • 555时基集成电路简介

    555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555,用CMOS 工艺制作的称为7555,除单定时器外,还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在4.5V~16V 工作,7555 可在3~18V 工作,输出驱动电流约为200mA,因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。

    标签: 555 时基集成 电路简介

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:农药锋6

  • BUCK变换中的尖峰问题

    BucK变换器在开关转换瞬间.由于线路上存在感抗,会在主功率管和二极管上产生电压尖峰,使之承受较大的电压应力和电流冲击,从而导致器件热损坏及电击穿 因此,为避免此现象,有必要对电压尖峰的原因进行分析研究,找出有效的解决办法。

    标签: BUCK 变换 尖峰

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:youth25

  • 电子学名词介绍

    电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量,以字母ρ表示,单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线,在温度20C时的电阻值,电阻率越大,导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量,其数值等于温度每升高1C时,电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值,通常以字母α表示,单位为1/C。2、 电阻的温度系数----表示物质的电阻率随温度而变化的物理量,其数值等于温度每升高1C时,电阻率的增加量与原来的电阻率的比值,通常以字母α表示,单位为1/C。3、 电导----物体传导电流的本领叫做电导。在直流电路里,电导的数值就是电阻值的倒数,以字母ɡ表示,单位为欧姆。4、 电导率----又叫电导系数,也是衡量物质导电性能好坏的一个物理量。大小在数值上是电阻率的倒数,以字母γ表示,单位为米/欧姆*毫米平方。5、 电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差,叫做电动势或者简称电势。用字母E表示,单位为伏特。6、 自感----当闭合回路中的电流发生变化时,则由这电流所产生的穿过回路本身磁通也发生变化,因此在回路中也将感应电动势,这现象称为自感现象,这种感应电动势叫自感电动势。7、 互感----如果有两只线圈互相靠近,则其中第一只线圈中电流所产生的磁通有一部分与第二只线圈相环链。当第一线圈中电流发生变化时,则其与第二只线圈环链的磁通也发生变化,在第二只线圈中产生感应电动势。这种现象叫做互感现象。8、 电感----自感与互感的统称。9、 感抗----交流电流过具有电感的电路时,电感有阻碍交流电流过的作用,这种作用叫做感抗,以Lx表示,Lx=2πfL。10、容抗----交流电流过具有电容的电路时,电容有阻碍交流电流过的作用,这种作用叫做容抗,以Cx表示,Cx=1/12πfc。11、脉动电流----大小随时间变化而方向不变的电流,叫做脉动电流。12、振幅----交变电流在一个周期内出现的最大值叫振幅。13、平均值----交变电流的平均值是指在某段时间内流过电路的总电荷与该段时间的比值。正弦量的平均值通常指正半周内的平均值,它与振幅值的关系:平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在两个相同的电阻器件中,分别通过直流电和交流电,如果经过同一时间,它们发出的热量相等,那么就把此直流电的大小作为此交流电的有效值。正弦电流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流电的瞬时功率不是一个恒定值,功率在一个周期内的平均值叫做有功功率,它是指在电路中电阻部分所消耗的功率,以字母P表示,单位瓦特。16、视在功率----在具有电阻和电抗的电路内,电压与电流的乘积叫做视在功率,用字母Ps来表示,单位为瓦特。17、无功功率----在具有电感和电容的电路里,这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来,在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换,并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示,单位为芝。

    标签: 电子学

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:zhoujunzhen

  • 高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

    本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。

    标签: MOSFET 高频 功率 驱动电路

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:lijinchuan

  • 功率MOSFET并联应用

    从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。

    标签: MOSFET 功率 并联

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:xiaohanhaowei

  • CMOS闩锁效应

    闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路

    标签: CMOS 闩锁效应

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:缥缈

  • 如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应

    本文的目的在于,介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场,不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势(MMF)的空间谐频。 在图1中,给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上,所显示的是薄钢片的形状,或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成,以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变,在60Hz的电机中(大体积电机,工业用)层片的厚度典型为.014”(.355毫米)。它们堆叠在一起,以构成具有恰当长度的磁路。绕组位于该结构的槽内。 在图1中,给出了带有齿结构的梯形槽,在大部分长度方向上具有近乎均匀的截面,靠近气隙处较宽。齿端与相对狭窄的槽凹陷区域结合在一起,通过改善气隙场的均匀性、增加气隙磁导、将绕组保持在槽中,有助于控制很多电机转子中的寄生损耗。请注意,对于具有名为“形式缠绕”线圈的大型电机,它具有直边矩形槽,以及非均匀截面齿。下面的介绍针对两类电机。

    标签: 如何计算 转子 电机 绕组

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:我干你啊

  • DA和AD转换电路原理

    非电物理量(温度、压力、流量、速度等),须经传感器转换成模拟电信号(电压或电流),必须转换成数字量,才能在单片机中处理。

    标签: AD转换 电路原理

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:XLHrest

  • 运算放大器中的虚断虚短应用

      虚短和虚断的概念   由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。   “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。   由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA,远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时,可以把两输入端视为等效开路,这一特性 称为虚假开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。   在分析运放电路工作原理时,首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大,什么加法器、减法器,什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你,让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数,这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中,把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。

    标签: 运算放大器 虚断

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:181992417

  • LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

    摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

    标签: LDO 线性稳压器 动态 电路设计

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:gtf1207