一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。...
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凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。 ...
基于LabVIEW的高精度电流源设计与实现...
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...
TI33072高转换率单电源运算放大器...
高精度数控电源制作...
基于输入28.5 VDC,输出总功率180 W的机载计算机电源的设计,为满足“GJB181飞机供电特性”中对飞机用电设备输入28.5 VDC时过压浪涌80 V/50ms的要求,...
高强度放电灯...
电源电路防雷击浪涌保护电路...