英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。每一个功率器件都需要一个门极驱动，同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有各种结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项的驱动芯片产品。这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)，或者作为集成功率模块的一部分(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)——最完美的搭档。
标签： 门极驱动
上传时间： 2022-07-16
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B树的实现以及图形化显示，实现B树的插入、删除、显示
上传时间： 2016-06-11
上传用户：李梦晗
* 高斯列主元素消去法求解矩阵方程AX=B,其中A是N*N的矩阵,B是N*M矩阵 * 输入: n----方阵A的行数 * a----矩阵A * m----矩阵B的列数 * b----矩阵B * 输出: det----矩阵A的行列式值 * a----A消元后的上三角矩阵 * b----矩阵方程的解X
上传时间： 2015-07-26
上传用户：xauthu
(1) 、用下述两条具体规则和规则形式实现.设大写字母表示魔王语言的词汇 小写字母表示人的语言词汇 希腊字母表示可以用大写字母或小写字母代换的变量.魔王语言可含人的词汇. (2) 、B→tAdA A→sae (3) 、将魔王语言B(ehnxgz)B解释成人的语言.每个字母对应下列的语言.
上传时间： 2013-12-30
上传用户：ayfeixiao
1.有三根杆子A,B,C。A杆上有若干碟子 2.每次移动一块碟子,小的只能叠在大的上面 3.把所有碟子从A杆全部移到C杆上 经过研究发现，汉诺塔的破解很简单，就是按照移动规则向一个方向移动金片： 如3阶汉诺塔的移动：A→C,A→B,C→B,A→C,B→A,B→C,A→C 此外，汉诺塔问题也是程序设计中的经典递归问题
上传时间： 2016-07-25
上传用户：gxrui1991
1. 下列说法正确的是 （ ） A. Java语言不区分大小写 B. Java程序以类为基本单位 C. JVM为Java虚拟机JVM的英文缩写 D. 运行Java程序需要先安装JDK 2. 下列说法中错误的是 ( ) A. Java语言是编译执行的 B. Java中使用了多进程技术 C. Java的单行注视以//开头 D. Java语言具有很高的安全性 3. 下面不属于Java语言特点的一项是( ) A. 安全性 B. 分布式 C. 移植性 D. 编译执行 4. 下列语句中，正确的项是 ( ) A . int $e,a,b=10 B. char c,d=’a’ C. float e=0.0d D. double c=0.0f
上传时间： 2017-01-04
上传用户：netwolf
PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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PD协议规范PD快充，这是USB联盟发的标准PD协议规范，就是PD头和手机平板等TypeC口实现快充的规范，有兴趣可以一起探讨
标签： pd协议
上传时间： 2022-04-10
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对于现有无线充电产品，无需更改原有方案电路，即可实现支持PD适配器快充功能
上传时间： 2022-06-25
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锂离子电池Li+ 是适合电子产品轻薄小需求的高能量密度高性能电池,被广泛应用于手机,PDA ,笔记本电脑等高端产品中.图一所示电路提供了一种结构简单紧凑的单节Li+电池充电方案图中墙上适配器为9VDC 800mA 限流型电压源Anam Friwo 等公司均有相应产品MAX1679内置充电终止检测电路和充电过程控制.器插入电池或充电器上电都将启动一次充电过程一次完整的充电过程包括初始化充电以较小的充电电流为电池充电使电池电压大于2.5V温度范围如果超出2.5 到47.5 则处于等待状态.快充过程快充开始后MAX1679打开外接的P 沟道场效应管快充电流由外部限流型充电电源决定.一旦检测到电池电压达到Li+电池充电终止门限电压时快充结束.充电终止门限电压由电阻RADJ确定,可参考以下公式:
上传时间： 2013-11-14
上传用户：yuanwenjiao
