硬件工程师 电子工程师必备知识手册关键字： 电阻 基础知识 线绕电阻器 薄膜电阻器 实心电阻器 电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧， 分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、 X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类 型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6- 精密、7-精密、8-高压、 9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以
上传时间： 2022-02-17
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IP2723T 是一款集成多种协议、用于 USB 输出 端口的快充协议 IC。支持多种快充协议，包括 USB TypeC DFP ， PD2.0/PD3.0/PPS , HVDCP QC4/QC4+/QC3.0/QC2.0 （ Quick Charge ）， FCP （Hisilicon® Fast Charge Protocol），SCP（Super Fast Charge），AFC（Samsung® Adaptive Fast Charge）， MTK PE+ 2.0/1.1（MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1），Apple 2.4A，BC1.2 以及三星 2.0A。为适 配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决 方案。
标签： IP2723
上传时间： 2022-03-04
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IP2326 集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低BOM 成本。
上传时间： 2022-03-05
上传用户：trh505
居民小区停车场居民小区停车场以居民自用电动汽车，长时间停留为主。需求：充电时间一般6-10小时，电池容量多为2030度电；充电功率要求较小，私人所有无需计费/由物业统管需计费单位内部停车场单位内部停车场充电时间为单位内部停留时间，有紧急补电需求，以及目的地充电需求。需求充电时间4-8小时，直流快充及交流慢充，计费与否可选公共停车场-商业地产商业地产以短时及中时停留为主。充电类型多样化，需计费。需求：充电时间14小时，直流与一定比例交流需计费，需运营管理公共停车场--交通枢纽交通枢纽停车场一般收取较高停车费，充电以快速补电为主。需求：充电时间较短，多直流，需计费场际公路高速公路服务区城际公路/高速公路服务区多为高速及城际公路间快速补电，停留时间越短越好。车型有多样性，大巴及乘用均有。需求：充电时间短，电压200-750V为优，直流大功率，需计费专用停车场-出租车出租车停车场以出租车为主，充电需求以考虑出租车车型，及极速充电为需求充电时间较短，充电功率较大，需计费专用停车场-公交车公交车停车场主要用于公交车队内部充电。营运特点：白天工作需要快速补电，夜间休息可以慢速充满。求：充电时间长（夜晚）+短（白天），大功率直流，计费专用停车场-工业园专用停车场以观光车、通勤车、物流车等切换为电动车后的充电需求为主。需求以观光车、通勤车、物流车为主，充电电压低，充电电流大电动汽车充电机组成·充电模块控制单元·充电机柜
上传时间： 2022-03-29
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IP2716是一款集成USB TYPE-C输入输出协议、USB Power Delivery（PD3.0）输入输出协议、QC3.0/2.0输出快充协议（兼容DCP识别功能，兼容BC1.2、苹果和三星手机）等多功能。高集成度与丰富功能，使其在应用时仅需极少的外围器件。如果原有的普通方案输出功率和输出电压范围满足需求，只需额外增加外扩的功率MOS就可以实现在原有方案的基础上升级为支持TYPE-C、PD3.0、QC3.0/2.0的高级快充方案。适当提升DC-DC或AC-DC元件性能，可以轻松实现最高100W（20V 5A）输出能力，为移动电源、适配器、车充提供完整的TYPE-C解决方案。
标签： ip2716
上传时间： 2022-04-09
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本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
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2011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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凌阳GPMW5019B电源方案，节省了LM324、TL431可以节约0.4的成本，转化效率高。
上传时间： 2022-06-23
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本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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