E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚...
整流电容技术资料
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CMOS和TTL电路探讨
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工...
寄生电容在升压变压器中的设计应用
One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transfor...
压控振荡电路的设计
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等...
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。...
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功...
电子学名词介绍
电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时...
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出...
一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(P...
LC正弦波振荡电路基础知识
LC 正弦波振荡电路 如果将该电路作为选频网络和正反馈，再加上基本放大电路和稳幅电路就构成LC正弦波振荡电路。 将电容和电感并联起来，在电容上施加一定电压后可产生零输入响应。这种响应在电容...