电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求。其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制，面临诸多挑战。介绍了一种驱动供电电源的设计，并通过实际测试证明其可用性。
上传时间： 2021-10-27
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stm32 spwm变频器开发源码，特别适用于初学者学习借鉴。
上传时间： 2022-02-12
上传用户：canderile
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标签： python
上传时间： 2022-06-06
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为了满足一些重要用电设备的连续供电，对电网供电提出了更高的要求。为此，引入一种新型UPS是不间断电源（uninterruptible power system）的英文简称，是能够提供持续、稳定、不间断的电源供应的重要外部设备。UPS先将交流电直流成直流电，一路给蓄电池充电，一路经逆变器变成恒压恒频的交流电，不论是市电供电还是断电由电池供电，总是通过逆变系统提供电力，因而市电停电或来电时无任何转换间断，市电的干扰也完全不影响到UPS的输出端，另外，UPS提供的电力为纯净的正弦波交流电，适用的负载范围宽，可以为多种精密用电设备提供稳定的不间断电源，此外，UPS的优点还在于它的零转换时间以及高质量的输出电源品质，因此它更适合于一些关键性的应用场合.UPS由于其工作方式是先对电池充电，然后再由逆变器将电池的电能逆变成交流，因此在电能的转化过程中有一部分电能将被损失掉。电子技术是根据电子学的原理，运用电子器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog（模拟）电子技术和Digital（数字）电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术，处理的方式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。现代电力电子技术的发展方向，是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学，向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代，并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
标签： UPS电源
上传时间： 2022-06-19
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在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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变频,vf200,手册,单相200V输入型项目规格标准适用电机输出(kW)0.2～2.2kW额定输出额定电压单相200～230V AC(电源电压比例)过负载电流额定值额定输出电流的150% 1分钟输入电源相数?电压?频率单相200～230V AC 50/60Hz电压允许变动额定输入交流电压的+10%、-15%频率允许变动额定输入频率的±5%瞬时压降耐量165V AC以上继续运转，降至165V AC以下时继续运转15ms
上传时间： 2022-06-21
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
LTspice1.变压器仿真的简单步骤：A.为每个变压器绕组绘制一个电感器B.采用一个互感（K）描述语句通过一条SPICE指令对其实施耦合：K1L1L21K语句的最后一项是耦合系数，其变化范围介于0和1之间，1代表没有漏电感。对于实际电路，建议您采用耦合系数=l作为起点。每个变压器只需要一个K语句；LTspice为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系数。下面所列是上述语句的等效语句：K1L1L21K2L2L31K3LlL31C.采用“移动”（F7）、“旋转”（Ctrl+R）和“镜像”（Ctrl+E）命令来调节电感器位置以与变压器的极性相匹配。添加K语句可显示所含电感器的调相点。D.LTspice采用个别组件值（在本场合中为个别电感器的电感）而非变压器的匝数比进行变压器的仿真。电感比与匝数比的对应关系如下：
标签： ltspice
上传时间： 2022-06-24
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本文档描述了基于飞思卡尔电机控制专用的数字信号控制器MC56F8274S的三相交流感应电机矢量控制方案。三相交流感应电机因为其结构简单、工艺成熟、造价低廉、无电刷、维护简单、鲁棒性强等优点，被广泛应用于工业控制中。如水泵、风机、压缩机、制冷系统中。为了实现三相交流感应电机的调速，需要对电机提供电压幅值和频率可变的交流电，一般使用由数控开关逆变器构成的三相变频器。电机的控制算法大体分为两类，一类是标量控制，如被广泛应用的VF恒压频比控制。另一类被称为矢量控制或磁场定向控制（FOC），相对于标量控制，矢量控制全面提升了电机驱动性能，比如矢量控制实现了转矩和磁链的解耦控制、全转矩控制、效率更高且提高了系统的动态性能。基于飞思卡尔电机控制专用的数字信号控制器MC56F82748的三相交流感应电机矢量控制是一个面对客户和工业应用的设计方案。低成本和高可靠性是两个关键的考量指标。为了减小系统成本，我们采用了单电阻电流采样方案。为了减少系统对参数的依赖，我们使用了闭环的磁链估算方案，提升了系统稳定性和鲁棒性。本文档介绍了基本的电机控制理论，系统的设计理念，硬件设计、软件设计，包括FreeMASTER可视化软件工具。
上传时间： 2022-06-24
上传用户：bluedrops
