掺杂

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掺杂 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 32 篇文章,持续更新中。

半导体工艺

详解半导体芯片制造全流程,涵盖光刻、蚀刻、掺杂等核心工艺步骤。适用于芯片设计与制造领域的工程实践,提供可直接用于生产环境的工艺参数参考和流程优化思路。

搜霸英文在线朗读工具

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LED驱动_姜老师

LED其实就是一种特殊形式的二极管,是一种半导体器件通过掺杂等手段形成PN结,在阳极加正电压,在阴极加负电压,则电流很容易通过,并且通过光的形式释放出能量。在阴极加正电压,负极加正电压,不导通。

取代聚吡咯自掺杂导电机理的理论研究

·取代聚吡咯自掺杂导电机理的理论研究

掺杂聚苯胺能带结构和导电机理的研究

·掺杂聚苯胺能带结构和导电机理的研究

天然橡胶掺杂导电机制的理论研究

·天然橡胶掺杂导电机制的理论研究

聚并硒吩导电高聚物的电子结构及其掺杂导电机制的探究

·聚并硒吩导电高聚物的电子结构及其掺杂导电机制的探究

太阳能电池发电原理

希望对你有帮助》上世纪60年代,科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术——通信卫星供电,上世纪末,在人类不断自我反省的过程中,对于光伏发电这种如此清洁和直接的能源形式已愈加亲切,不仅在空间应用,在众多领域中也大显身手。如:太阳能庭院灯、太阳能发电户用系统、村寨供电的独立系统、光伏水泵(饮水或灌溉)、通信电源、石油输油管道阴极保护、光缆通信泵站电源、海水淡化系统、城镇中路标、高速公路路标等。欧美等先

智能型随机取样系统设计

介绍一种以工控机为核心,利用交流变频调速技术实现的随机取样系统。给出了总体设计思路以及实现的方法。系统应用双重身份识别技术有效地杜绝了煤车的掺杂使假现象。<BR>关键词:定位,工控机,变频调速,身份识

SnO 2薄膜光透过率气体敏感机理的研究

以掺杂SnO 2 薄膜为例, 推导了薄膜上透射光的消光系数与薄膜内极化电子数和极化电子迁移率的关系式。得出当环境气氛中待测气体的浓度变化时, 将导致穿过薄膜的光的透射率与之发生响应, 从理论上说明研制

白光发光二极管设计制造

<P>白光发光二极管设计制造 <BR>我们研究制作Ultra-Violet磊芯片,并采用II-VI化合物材料,掺杂I价或III价的材料,制作了R、G、B三原色的荧光体。荧光体能将300nm至400nm

半导体纳米氧化物气敏传感器的制备及应用

论述了金属氧化物SnO 2 的气敏机理, 并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方法制备SnO 2 薄膜气敏传感器的最新研究成果进行了简要介绍。<BR>关键词 传感器 气

压阻式金刚石压力传感器的优化设计

介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问题包括金刚石力敏电阻条的掺杂浓度,电桥的形

LED光电参数定义及其详解

LED光电参数定义及其详解 2.1 LED 发光原理 LED 的实质性结构是半导体 PN 结, 核心部分由 P 型半导体和 N 型半导体 组成的晶片 , 在 P 型半导体和 N 型半导体之间有一个过渡层 , 称为 PN 结 。 其发 光原理可以用 PN 结的能带结构来做解释 。 制作半导体发光二极管的半导体材料 是重掺杂的 , 热平衡状态下的 N 区有很多迁移率很高的电子 , P 区有较

P掺杂类金刚石薄膜的制备及生物学行为研究

<P>摘要:应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石(diamond like carbon,DLC)薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层,P 的掺杂增加了DLC

镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2O3 纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3 电导和气敏性能的影响. 结果表明: MgO 和In2O3 间可形成有限固溶体In2 - xMgxO3 (0 ≤x ≤0.

二氧化锡膜气敏传感器最新研究成果

<P>在论述二氧化锡气敏机理的基础上,介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状,并对其发展趋势进行了展望。<BR>关键词:

LED的发光原理与芯片制造

<p>LED发光原理与芯片制造</p><p><br/></p><p></p><p> 报告的主要内容:</p><p>LED的发展,特别是芯片的发展</p><p>LED芯片的结构与发光原理</p><p>LED芯片的制造过程</p><p>LED的封装与应用</p><p>未来的展望</p><p> LED的发展,芯片的发展</p><p><br/><br/></p><p>LED的发展,芯片的发展<

硅单晶电阻率与掺杂浓度换算

<p>中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准G B/T 133 89一 92</p><p>掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程</p>

芯片的集成制造工艺和实现方法的技术报告

<p>集成电路的制造工艺是一个非常复杂而又精密的过程,它是有若干单项制造工艺组合而成,从电路设计到芯片完成整个过程离不开集成电路制造工艺。本文先简单介绍芯片的制造流程,然后结合制造流程从硅衬底、光刻技术、氧化与掺杂、薄膜制备、测试封装来逐步介绍集成路的制造工艺和实现方法。</p><p>第二部分芯片制造流程</p><p>2.1光罩制作<br/></p><p>光罩是在生产半导体时,将线路印制在硅晶圆上