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LED光电参数定义及其详解 2.1 LED 发光原理 LED 的实质性结构是半导体 PN 结， 核心部分由 P 型半导体和 N 型半导体 组成的晶片 ， 在 P 型半导体和 N 型半导体之间有一个过渡层 ， 称为 PN 结 。 其发 光原理可以用 PN 结的能带结构来做解释 。 制作半导体发光二极管的半导体材料 是重掺杂的 ， 热平衡状态下的 N 区有很多迁移率很高的电子 ， P 区有较多的迁移 率较低的空穴 。 在常态下及 PN 结阻挡层的限制 ， 二者不能发生自然复合 ， 而当 给 PN 结加以正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反 ， 因 此势垒高度降低 ， 势垒区宽度变窄 ， 破坏了 PN 结动态平衡 ， 产生少数载流子的 电注入 [16] 。 空穴从 P 区注入 N 区 ， 同样电子从 N 区注入到 P 区 ， 注入的少数载 流子将同该区的多数载流子复合，不断的将多余的能量以光的形式辐射出去。

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