摘要：为了得到输出稳定、开关耐压力小并且功率因教高的大功率三相整流器，对三相VIENNA 型 PFC电路拓扑进行了研究，对VIENNA整流器的原理进行了调查，根据原有的控制理念，在其控制方面采用了区间控制结合滞环控制法来控制整个电路。在整个系统方案设计究毕后，搭建Malab模型对所设计的电路进行仿真，由仿真结果可以看到系统的输出为稳压输出，开关器件的耐压力为输出电压的一半，输入功率因数为1，并且做了一些小样机对系统所采用的控制进行了验证。关键词：三相拓扑电路；区间控制法；功奉因教校正；滞环拉制1引言传统的三相整流虽然可以满足系统大功率的需求，但是存在谐波大、功率因数低等缺点。三相VIENNA型 PFC整流器，具有控制简单、输入功率因数高、无谐波污染等优点，适合于三相大功率电路，便于工程应用中的实现。文献中采用滞环控制方法1-1，用反馈信号与正弦采样信号组合，再应用PWM技术实现PFC电路的稳压和电流的正弦化.电路电感电流连续CCM和临界连续BCM模式下工作，简化了电路，降低制造成本。针对所作系统进行仿真，验证了系统的可行性和优越性。2 VIENNA电路原理2.1原始主电路如图1所示的电路三相三开关三电平整流电路2，开关采用4个二极管和一个全控型MOSFET管组成。根据电路的对称性可以知道电容中点电位与电网中点的电位近似相同。当A相开关管关断时，E点F点电位相等，Un-Ux则Ua=0.5Un-0.5Uc，又Un=Uc，又Ua-0.5Uc，因此Uw：=0，U-0.5Ux，即VIENNA电路中开关器件只承受了一半的输出直流电压，所以开关管电压应力小，非常适合于大功率三相PFC整流电路。
标签： 三相PFC整流电路
上传时间： 2022-06-16
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超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应，将电能转变为机械振动，再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转（直线）运动，进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件，其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷，研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明，这两种材料都具有较好的介电温度稳定性，P41具有明显的铁电体相变特点，PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性，同时缩短了极化时间，提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm，120 ℃极化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性，探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明，电机具有较好的瞬态特性，启动时间ams，关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快，与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关，说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时，P41电机的Qm较小而Aar比较大（TRUM-60 1型电机），具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高，最终在某一温度下稳定运转，采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机（TRLIM6011电机），与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关，因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大，不同尺寸电机具有不同的驱动性能.
上传时间： 2022-06-18
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一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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某固态有源相控阵雷达是由中国电子科技集团公司第十四研究所研制的一部具有国际领先技术的先进军用设备。本文采用先进的设计理念和方法，使用Pro/E、ANSYS等优秀设计软件，完成了该雷达天线阵面的结构设计任务。首先根据雷达性·能指标要求对天线阵面进行初步设计，确定天线阵面的结构形式、尺寸，确定各设备在天线阵内部的布局和安装方式。在初步设计的基础上使用Pro/E软件建立三维模型，验证设计布局的合理性。然后利用有限元分析工具ANSYS软件，采用APDL编制命令流的方法，建立天线阵箱体的力学模型，对其进行静力学和动力学分析，求出各种工况下的变形和应力分布情况，找出主要部件的危险位置。根据分析结果优化结构参数，再循环计算分析，最终使结构完全满足系统预先分配的重量指标和刚度指标。根据天线阵面内的散热总量和热量分布特点，确定了阵面的通风散热方法，通过理论计算确定了风道参数，完成了天线阵面的热设计。最后针对相控阵雷达天线阵面的特点，采取创新的设计方法及措施，解决阵面的密封防护问题。本文提出的天线阵面结构设计思路以及提供的计算数据对于相控阵雷达天线阵面结构设计具有一定的理论意义和实用价值。
标签： 相控阵雷达
上传时间： 2022-07-26
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本文件包含了离散半导体元件（如晶体管，二极管等）最低应力测试要求的定义和参考测试条件.使用本文件并不是要解除供应商对自己内部认证项目的责任性，此外此文件并不《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》本文件包含了离散半导体元件（如晶体管，二极管等）最低应力测试要求的定义和参考测试条件.使用本文件并不是要解除供应商对自己内部认证项目的责任性，此外此文件并不解除供应商满足本文件范围外的任何文件需求。其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户，客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。此規範的目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。
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上传时间： 2022-07-27
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