文章针对LDO稳定性的问题，提出了一种内部动态频率补偿电路，使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响，其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变，大大提高了瞬态响应特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真；此外，该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能，当负载电流大于限制电流时，LDO不能正常工作；当负载电流小于限制电流时，又自动 恢复到正常工作状态
上传时间： 2013-10-27
上传用户：黑漆漆
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
保证Fluke产品从购买日起一年内，没有材料和工艺上的瑕疵。本项担保不包括保险丝、可弃置的电池或者因意外、疏忽、误用或非正常情况下的使用或处理而损坏的产品。Fluke也未曾授权予经销商将本保证期延长。保证期间如果需要维修，请将测试仪表附上故障说明送到购买仪表的分销商处。 本项保证是阁下唯一的补偿。除此以外，Fluke不做任何明示或默示的保证（例如保证某一特殊目的的适应性）。同时，凡因任何原因或推测而导致的任何特别、间接、附带或继起的损坏或损失，Fluke也一概不予负责。由于某些州或国家不允许对默示保证及附带或继起的损坏有所限制，故上述的责任范围与规定或许与您无关。
标签： Multimeter Digital 18B 用户手册
上传时间： 2013-11-07
上传用户：璇珠官人
摘要：本文详细介绍了电源电压检测电路从电路要求到电路设计，从电路仿真验证到版图设计的整个模拟电路设计流程。着重讨论了如何降低电源电压、温度及工艺等变化对电路精度的影响，使设计的电源电压检测电路具有精度高，电压、工艺、温度容限宽的特点。
上传时间： 2014-01-10
上传用户：moshushi0009
在过去10年中，满足高带宽应用需要的布线技术发生了巨大的变化，布线系统所支持的带宽已从最初10MHz发展到今天的250MHz。2002年6月，TIA/EIA组织最终核准了六类布线标准，将所有厂商的布线产品实现标准化，而网络设备制造商也将保证它们的设备在六类布线上高速运行。应该说，六类系统的推出为人类从真正意义上跨入千兆网络的时代奠定了坚实的基础，但同时也带来了种种疑惑
上传时间： 2013-11-02
上传用户：hzakao
针对广泛使用电池供电的系统，由于电源电压监控的要求，系统复位电路的可靠性对整个系统的稳定性起着非常重要的作用，本文研究并设计一种低功耗，高性能的复位芯片，可以在系统上电，掉电的情况下向微处理器提供复位信号。当电源电压低于预设的门槛电压时，输出复位信号并在电源电压恢复到门槛电压以上继续持续复位一段时间，实现整个系统的平稳恢复，复位信号低电平有效。该芯片采用CMSC035标准CMOS工艺实现，采用Cadence Spectre仿真，工作电流仅为10 μA。该芯片已成功应用于工业类控制系统中。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：Late_Li
LY6206系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用CMOS工艺和激光微调技术. 在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。 LY6206系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路,可使用低ESR陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔100mV,输出电压1.2V-3.6V封装SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3
上传时间： 2013-11-15
上传用户：thuyenvinh
本文设计了冶金轧钢退火炉、环形炉、罩式炉安全快速智能点火控制装置。智能点火控制装置由单片机控制硬件控制逻辑，再由硬件控制逻辑控制打火、开关阀等动作，当出现报警而单片机未能给出报警信号给硬件控制逻辑时，硬件控制逻辑会在一定时间后自行报警。本装置在工作时，UV探测器对火焰实时检测，一旦无火焰信号会及时传输给单片机和硬件控制逻辑。正是由于实时检测和双重保护使得整个点火控制装备在使用的时候更可靠更安全。另外本装置还可以通过修改软件运用在不同的生产工艺上，具有很强的可移植性。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：stella2015
产生坏块的原因是因为NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，所以，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
标签： NAND_Flash
上传时间： 2013-10-24
上传用户：wojiaohs
51单片机原理图
上传时间： 2013-12-31
上传用户：zouxinwang
