主要探讨LED光源与传统光源在光电转换效率、亮度、灯具形态等方面的比较
上传时间: 2013-12-17
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间: 2014-12-03
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关于柴油发电机在低压配电系统中应用的探讨
上传时间: 2013-10-11
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锂离子正极电池材料 1. 目前主要的技术工艺制法: 1.1. 高温固相反应法:高温固相反应法是以FeC2O4·2H2O,(NH4)H2PO4,Li2CO3等为原料,按LiFePO4的化学组成配料研磨混合均匀,在惰性气氛(如Ar,N2)的保护下高温焙烧反应制得。目前,由于高温固相反应法存在合成温度高、粒径分布大、颗粒粗大等缺点,极大地限制了L iFePO4的电化学性能。 1.2. 溶胶——凝胶合成法:溶胶——凝胶法以三价铁的醋酸盐或硝酸盐为原料,按化学计量加入LiOH后加入柠檬酸,然后再将其加入到H3PO4中,用氨水调节pH,加热至60℃得到凝胶,加热使凝胶分解,高温烧结得到LiFePO4。溶胶——凝胶法的优点是前驱体溶液化学均匀性好,凝胶热处理温度低,粉体颗粒粒径小而且分布窄,粉体烧结性能好,反应过程易于控制,设备简单;但是在干燥时收缩大,工业化生产难度较大,合成周期较长。
上传时间: 2013-11-16
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晶片wafer 平面工艺详细介绍
上传时间: 2013-11-21
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很全面的实验指导,无锡工艺单片机实验指导书。
上传时间: 2013-11-15
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摘要:本文就弥补以往用单片机产生线阵CCD驱动时序的不足进行了探讨;给出了使用AVR单片机产生驱动TCD1206线阵CCD的具体实例及相应程序。其定时关系精确,驱动频率达到推荐的速率。关键词:线阵CCD;单片机;驱动时序
上传时间: 2013-10-10
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摘要:该文通过单片机实践教学的探讨与研究,提出了单片机实践教学的意义、现状、途径和目标,丰富单片机实践教学内容和完善其教学方法,提高单片机实践教学水平及学生单片机应用与开发能力,满足21世纪高素质人才培养的要求。关键词:单片机实践教学;实践能力;创新精神
上传时间: 2013-10-26
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摘要:实验教学是单片机教学过程的一个重要环节。以《单片机应用技术》课程实验教学为例,探讨了如何实施实验教学改革的思路和方法。关键词:单片机;教学改革;实验教学
上传时间: 2014-12-27
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S51下载线的制作-单片机实用技术探讨:在微电脑技术发展的今天,人们整天都在和单片机打交道,但作为一个电子爱好者,尽管我对微电脑非常感兴趣,但我却怎末也入不了门。在此,我将自己的学习体会写出来,与大家共赏,希望大家能更好的了解单片机,了解单片机或微电脑的工作方式,了解单片机周围元件的作用和接口电路,为以后的维修之路打好基础,如果有兴趣,还可以编写一些符合自己要求的程序,要它根据要求做一些事情。因为它无处不在,手机,电视,VC D ,D VD ,M P3,空调,冰箱,全自动洗衣机,电扇等,我们都可以在其电路板上看到C PU ,当然,我不会在此讲述所有的C PU ,只介绍S52的简单电路,希望大家对C PU 有一个初步的解。为了便于初学者学习,我尽量讲的详细些。便于理解,依实用为目的,让大家更好的理解单片机,应用单片机。
上传时间: 2013-12-26
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