基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。封装形式：SOP8
上传时间： 2013-10-08
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SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路（LEB），SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动，小功率电源配适器，电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等
上传时间： 2013-12-12
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单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在约50%。此外，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多，使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用。
上传时间： 2013-12-22
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西安谊邦电子 公司引进美国的先进半导体测试技术，在此基础上研制生产了YB6000系列半导体分立器件测试系统，该测试系统拥有功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点，各项技术指标均达到国际领先水平。其雄厚的技术实力，多年的开发产品经验和独特严谨的设计方案使谊邦电子YB系列测试系统性能更加超群，品质更为可靠稳定。谊邦电子研发技术涉及高端集成电路测试、半导体分立器件测试和各种客户产品测试等领域。产品主要应用于军工、汽车、飞机、船舶制造、能源等行业领域。 西安谊邦凭借较强的技术实力和完善的科学管理，能够给用户提供完善的售前售后技术支持。科技创新、服务无限，是我们工作的宗旨。
上传时间： 2013-10-30
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设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
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常见DC/DC电源变换器的拓扑类型见表1～表3所列。表中给出不同的电路结构，同时也给出相应的电压及电流波形(设相关的电感电流为连续工作方式)。PWM表示脉宽调制波形，U1为直流输入电压，UDS为功率丌关管S1(MOSFFT)的漏一源极电压。ID1为S1的漏极电流。IF1为D1的工作电流，U0为输出电压，IL为负载电流。T为周期，t为UO呈高电平(或低电平)的时问及开关导通时间，D为占空比，有关系式：D=t/T。C1、C2均为输入端滤波电容，CO为输出端滤波电容，L1、L2为电感。 1、常见单管DC/DC电源变换器
上传时间： 2013-10-19
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TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进 行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各 种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲 击负荷补偿的技术难题,属国内首创,填补了国内空白。
上传时间： 2014-12-24
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38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着IGBT的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V，输出电压为DC38V，输出电流为100A，输出电压低纹波，功率因数>0.9，必要时多台电源可以直接并联使用，并联时的负载不均衡度<5％。 设计采用了AC/DC/AC/DC变换方案。一次整流后的直流电压，经过有源功率因数校正环节以提高系统的功率因数，再经半桥变换电路逆变后，由高频变压器隔离降压，最后整流输出直流电压。系统的主要环节有DC/DC电路、功率因数校正电路、PWM控制电路、均流电路和保护电路等。 1 有源功率因数校正环节 由于系统的功率因数要求0.9以上，采用二极管整流是不能满足要求的，所以，加入了有源功率因数校正环节。采用UC3854A/B控制芯片来组成功率因数电路。UC3854A/B是Unitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片，是在UC3854基础上的改进。其特点是：采用平均电流控制，功率因数接近1，高带宽，限制电网电流失真≤3％[1]。图1是由UC3854A/B控制的有源功率因数校正电路。 该电路由两部分组成。UC3854A/B及外围元器件构成控制部分，实现对网侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件构成Boost升压电路。开关管V选择西门康公司的SKM75GB123D模块，其工作频率选在35kHz。升压电感L2为2mH/20A。C5采用四个450V/470μF的电解电容并联。因为，设计的PFC电路主要是用在大功率DC/DC电路中，所以，在负载轻的时候不进行功率因数校正，当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时，R10及R11上检测的信号输入给比较器，使其输出端为低电平，D2导通，给ENA(使能端)低电平使UC3854A/B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A/B工作。D3接到SS（软启动端），在负载轻时D3导通，使SS为低电平；当负载增大要求UC3854A/B工作时，SS端电位从零缓慢升高，控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。 2 DC/DC主电路及控制部分分析 2.1 DC/DC主电路拓扑 在大功率高频开关电源中，常用的主变换电路有推挽电路、半桥电路、全桥电路等[2]。其中推挽电路的开关器件少，输出功率大，但开关管承受电压高（为电源电压的2倍），且变压器有六个抽头，结构复杂；全桥电路开关管承受的电压不高，输出功率大，但是需要的开关器件多（4个），驱动电路复杂。半桥电路开关管承受的电压低，开关器件少，驱动简单。根据对各种拓扑方案的工程化实现难度，电气性能以及成本等指标的综合比较，本电源选用半桥式DC/DC变换器作为主电路。图2为大功率开关电源的主电路拓扑图。
上传时间： 2013-11-13
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功率变换器是开关磁阻电动机调速系统（SRD）中的重要组成部分，现有的各种功率变换器大都有这样或那样的问题与不足，关键是不能保证较好的性能价格比。本文通过对两种常用的四相开关磁阻电动机（SR）功率变换器主电路进行分析，优化、综合常用的主电路，给出了目前最优的四相SR电机功率变换器主电路型式——最少主开关型，提高了经济性和实用性。结合作者的研制实践，又给出了5.5KW 的SR电机新型功率变换器的实际电路、主要器件及其定额的选择。通过实验成功地应用此方案，基于降低SR电机转矩波动的有效手段，同时实现电机实时双相绕组通电稳定运行。关键词：开关磁阻电动机；功率变换器；最少主开关；绕组双相运行
上传时间： 2013-10-08
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