一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...
峰均功率比技术资料
📦 资源总数：7233
💻 源代码：12419
峰均功率比（PAPR）是衡量信号峰值功率与平均功率之比的重要参数，广泛应用于通信系统、射频电路设计及数字信号处理领域。了解并掌握PAPR特性对于优化传输效率、减少非线性失真至关重要。本页面汇集了7233份精选资源，包括技术论文、教程视频及案例分析等，旨在帮助电子工程师深入理解PAPR概念及其在OFDM、WLAN等现代通信技术中的应用技巧，助力您成为行业专家。
🔥 峰均功率比热门资料
查看全部7233个资源 »SM7503高性能原边反馈控制功率开关芯片
SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌...
SM7505高性能原边反馈控制功率开关芯片
SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌...
双开关正激转换器及其应用设计
单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在...
谊邦电子-半导体测试专家-IGBT测试-功率器件测试-分立器件全参数测试
西安谊邦电子 公司引进美国的先进半导体测试技术，在此基础上研制生产了YB6000系列半导体分立器件测试系统，该测试系统拥有功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点，各项技术指标均达到国际领先水平。其雄厚的技术实力，多年的开发产品经验和独特严谨的设计方案使谊邦电子YB系列测试系统性能更加超群，品质...
💻 峰均功率比源代码
查看更多 »📂 峰均功率比资料分类