封装工艺
共 42 篇文章
封装工艺 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 42 篇文章，持续更新中。
ADIS16334安装_机械设计指南和示例
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ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212131A523
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
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一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
电感和磁珠的区别及应用场合和作用
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P>
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa
LCD工艺生产介绍及罗升横河DD马达在LCD玻璃划片机的应用
摘要：本文介绍了LCD生产工艺流程、玻璃划片机的构架，技术特点，以及罗升横河DD马达的结构特点、适合LCD玻璃激光划片机应用。展望了LCD设备在国内的发展方向。<BR>关键字：罗升横河DD马达、高精度、高刚性、划片机、LCD
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到轨到轨，整个电路工作在3 V电源电压下，静态功耗仅为0.206 mW，驱动10pF的容性负载时，增益高达100.4 dB，单位增益带宽约为4.2 MHz，相位裕度为63
电子元器件的封装尺寸
元器件封装
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
快响应低漂移微电流放大器的设计
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介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术，该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一，其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。<br />
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贴片元件封装尺寸图
贴片元件封装尺寸图
IC封装热计算研究
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Many thermal metrics exist for integrated circuit (IC) packages ranging from θja to Ψjt.Often, these thermal metrics are misapplied by customers who try to use them to estimate junction
555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
贴片胶与滴胶工艺
表面贴片胶(SMA,surface mount adhesives)用于波峰焊接和回流焊接，以保持组件在印刷电路<BR>板(PCB)上的位置，确保在装配线上传送过程中组件不会丢失。<BR>PCB装配中使用的大多数表面贴片胶(SMA)都是环氧树脂(epoxies)，虽然还有聚丙烯(acrylics)用于特殊的用途。在高速滴胶系统引入和电子工业掌握如何处理货架寿命相对较短的产品之后，环氧树脂已成为世界
利用传统旋钮接口控制AD5111
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数字电位计是机械电位计的最佳替代产品，因其具有小尺寸封装、更高可靠性、高精度和更小电压毛刺等优势。数字电位计可采用各种数字和手动接口。手动或按钮接口直接通过两个按钮开关进行控制， 例如AD5116或AD5228。按向上按钮可提高电阻，按向下按钮可降低电阻，如图1所示。<br />
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