封装工艺
共 42 篇文章
封装工艺 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 42 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
高增益K波段MMIC低噪声放大器
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基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好，输入输出驻波比小于2．0；功率增益达24dB；噪声系数小于3．5dB
CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br />
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带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
4-20mA，0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2k&o
双通道通用精密运算放大器评估板
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EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是，它为用户提供了不同电路类型的多种组合，包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器，以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。<br />
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2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体
基于第二代电流传输器的积分器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、
用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除
黑魔书(逻辑门的高速特性)pdf下载
在数字设备的设计中，功耗、速度和封装是我们主要考虑的3个问题，每位设计者都希望<BR>功耗最低、速度最快并且封装最小最便宜，但是实际上，这是不可能的。我们经常是从各种型号<BR>规格的逻辑芯片中选择我们需要的，可是这些并不是适合各种场合的各种需要。<BR>当一种明显优于原来产品的新的技术产生的时候，用户还是会提出各方面设计的不同需<BR>求，因此所有的逻辑系列产品实际上都是功耗、速度与封装的一种折
铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧
<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧<p></p></FONT></P>
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放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品，其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集，其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松，我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
MOS管的资料
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
精密运算放大器自动校零
运算放大器集成电路，与其它通用<BR>集成电路一样，向低电压供电方向发<BR>展，普遍使用3V供电，目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来，运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端，对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的，同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前，运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳
采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析
本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。<br />
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高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数