固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外,还对供电系统的可靠性等提出更高的要求IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,开关频率高,广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当,它很容易损坏。一般认为IGBT损坏的主要原因有两种:一是IGBT退出饱和区而进入了放大区,使得开关损耗增大;二是IGBT发生短路,产生很大的瞬态电流,从而使IGBT损坏。IGBT的保护通常采用快速自保护的办法,即当故障发生时,关断ICBT驱动电路,在驱动电路中实现退饱和保护;或者当发生短路时,快速地关断IGBT,根据监测对象的不同,ICBT的短路保护可分为U,监测法或U..监测法,二者原理基本相似,都是利用集电极电流1e升高时U,或U.也会升高这一现象。当U2或U..超过UtU.就自动关断IGBT的驱动电路。由于U,在发生故障时基本不变,而U.的变化较大,并且当退饱和发生时,U.变化也小,难以掌握,因而在实践中一般采用U.监测技术来对ICBT进行保护。本文研究的IGBT保护电路,是通过对IGBT导通时的管压降U.进行监测来实现对IGBT的保护。
上传时间: 2022-06-22
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。
上传时间: 2022-06-22
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怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C);黑表笔接的为发射极(E)。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极( E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极( G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极( G)和发射极( E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡,因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管( P-MOSFET )的好坏。现在经常要检测MOS 管了,转几篇MOS 管的检测方法,以备随时观摩!用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断:在电脑上, MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管, 大部分都采用TO-220F 封装,其针脚判断方法是:将针脚向下,印有型号的面向自己,左边的是栅极,中间是漏极,右边是源极。
上传时间: 2022-06-22
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电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中,功率管的损坏占有相当大的比例,若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一:谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良,将导致电磁炉LC 振荡电路频率偏高,从而引起功率管IGBT管损坏,经查其他电路无异常时,我们必须将0.3uF 和5uF 电容一起更换。二:IGBT 管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT 管饱和、导通与截至,必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障,高电压就会加到IGBT 管的G 极,导致IGBT 管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。三:同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G 极上的开关脉冲前沿与IGBT 管上VCE 脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时, 导致IGBT管瞬间击穿损坏。
上传时间: 2022-06-22
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工作原理分析,主要分析电阻负载时的情况:1,任一相导通须和另一相构成回路,因此,和三相全控整流电路一样,电流流通路径中有两个晶闸管,所以应采用双脉冲或宽脉冲触发。2,三相的触发脉冲依次相差120",同一相的两个反并联晶闸管触发脉冲应相差180因此触发脉冲顺序和三相桥式全控整流电路一样,为VTI vT6,依次相差6003,如果把晶闸管换成二极管可以看出,相电流和相电压同相位,且相电压过零食二极管开始导通。因此把相电压过零点定为触发延迟角a的起点,三相三线电路中,两相间导通是靠线电压导通的,而线电压超前相电压30",因此,a角移范围是0~ 150根据任一时刻导通晶闸管个数及半个周波内电流是否连续,可将0"-150"的移相范围分为如下三段:(1)0"< a<60":电路处于三管导通与两管导通交替,每管导通180"-a。但a-0时是种特殊情况,一直是三管导通。(2)60"<a< 90:任一时刻都是两管导通,每管的导通角都是120(3)90"<a< 150":电路处于两管号通与无晶同管导通交替状态,每个晶闸管导通角为300-2a。而且这个导通角被分割为不连续的两部分,在半周波内形成两个断续的波头,各占150"-a.
上传时间: 2022-06-22
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摘要 DAQmx驱动作为N公司的第三代数据飛集硬俘驱动程序,减少了传統数据采集硬件驱动程序帶来的编程复杂性,可被多种编程语言调用,程序接口功能强大,应用起来十分方便。研究并使用DAQmx驱动程序开发基于PX1总线的数采系统逐渐成为趋势。针对PXI总线数采系统开发中必须解决的采集同步、触发等关键技术问题,重点讲迷在LABVIEW中利用DAQmx驱动实现多块数采卡同步采集、多功能数采卡的横拟与数字信导同步采集的程序设计技术以及数字与模拟信号触发程序设计技术等。利用这些技术可解决大部分基于PX1总线的数据采集仪器设计问题。并结合工程实际,演示了利用DAQmx工具开发的32通道多功能PXI总线数据采集系统。DAQmx硬件驱动程序是N公司研制的第三代硬件驱动程序,在LABVIEW环境下使用可简化数据采集系统程序设计。且可被C++、VC++、以及LabWindows/CVI等程序调用,为应用其他开发语言的工程师提供了方便。DAQmx驱动程序在数据采集程序设计时具有如下特点:对多功能的数据采集卡都使用统一的编程界面,可编写模拟输入、模拟输出、数字10以及定时器/计数器程序,驱动程序完全支持多线程程序。利用Measurement&Automation(MAX)配置工具,可简化数据采集卡的配置。在异常条件下运行可靠,传统的DAQ驱动难以处理异常情况,而DAQmx定义并加强了异常条件处理方法,这比传统DAQ驱动更可靠,一个最重要的特征是简化了采集同步的难题。传统DAQ中的设备同步实现起来相当复杂,必须通过软件编程路由RTSI总线或PFI信号线来完成,而DAQmx应用时不必为信号指定路由,只需确定同步信号,所有路由工作由DAQmx自动完成。本文结合工程开发实际介绍在LABVIEW环境下应用DAQmx驱动程序开发数据采集系统的技术,主要讲述利用DAQmx解决多块卡同步的问题,以及多功能数据采集卡的数字与模拟采集同步以及信号触发等问题。
上传时间: 2022-06-22
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触摸控制技术又可分为触摸屏(Touch Screen)技术和触摸按键(TouchKey)技术.在触摸按键技术方面,目前主要可分为电阻式触摸按键与电容式感应按键.由于电阻式的触摸按键需要在设备表面贴一张触摸电阻薄膜,其耐用性较低";而电容感应按键技术具有在非金属操作面板上无须开孔处理、防水防污、易清洁、无机械开关磨损而寿命长等优点.近几年随着苹果公司将电容触摸感应技术从笔记本电脑引用到iPod后,电容触摸感应热浪正席卷几乎所有电子产品,从笔记本电脑、智能电话、PDA、游戏机等手持设备,到LCDTV、DVD等消费电子产品,再到洗衣机、空调、冰箱、热水器、电磁炉以及咖啡壶等大小家电,无不以加入电容触摸感应为新的卖点[l.目前,世界知名电子元件供应商均加大了对电容触摸按键的应用研究,并推出众多的专业芯片,有专用电容感应按键类的全ASIC,也有众多基于MCU集成类的IC.但这些芯片价格较高,在一些按键数量少、成本要求低的电路中很难得到运用.另外,使用这些集成类IC,很难做到所选资源恰好等于使用的情况,存在资源的浪费情况.而且对于升级成熟产品的机械式按键,还存在变更原MCU代码的风险.同时,目前,对于电容式触摸按键的介绍大多也停留在基于电容量测量的原理上1笔者结合电容感应按键的原理,设计了一种用MCU的A/D口实现电容触摸按键的低成本电路
上传时间: 2022-06-24
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STM32最小系统硬件组成详解0组成: 电源 复位 时钟 调试接口 启动1、电源 : 一般3.3V LDO供电 加多个0.01uf去耦电容2、复位:有三种复位方式:上电复位、手动复位、程序自动复位通常低电平复位:(51单片机高电平复位,电容电阻位置调换)上电复位,在上电瞬间,电容充电,RESET出现短暂的低电平,该低电平持续时间由电阻和电容共同决定,计算方式如下:t = 1.1RC(固定计算公式) 1.1*10K*0.1uF=1.1ms需求的复位信号持续时间约在1ms左右。手动复位:按键按下时,RESET和地导通,从而产生一个低电平,实现复位。
上传时间: 2022-06-24
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数学分析对于数学专业的学生是迈进大学大门后,需要修的第一门课,也是最基础最重要的一门课程。但对于非数学专业的朋友们是个陌生的概念,如果身边有人问我数学分析学什么?我会毫不犹豫地告诉他们就是微积分,那么似乎所有人都会接着提一个问题:那和我们学的微积分有什么差异?为什么我们学一学期你们要学一年半到两年啊?囧……这个问题就不容易回答了,于是我只能应付说学得细了,但其实并非仅仅如此。对这个问题我在学习数学分析的过程中是不能说清楚的,正因为如此,起先学分析完全是乱学,没有重点没有次序的模仿,其结果就是感觉自己学到的东西好比是一条细线拴着好多个大秤症,只要有一点断开,整个知识系统顿时倾覆。我也一直在思考这个问题,但直到在北师大跟着王昆扬老师学了一学期实变函数论之后,我才意识到数分与高数真正的区别在于何处。先从微积分说起,在国内微积分这门课程大致是供文科、经济类学生选修的,其知识结构非常清晰,主要内容就是要说清两件事:第一件介绍两种运算,求导与求不定积分,并且说明它们互为逆运算。第二件介绍基础的微分学和积分学,并且给出它们之间的联系—Newton-Leibniz公式。这里需要强调的是,求不定积分作为求导数的逆运算属于微分学而不属于积分学,真正属于积分学的是Riemann定积分。不定积分与定积分虽然在字面上只差一字,但从数学定义来看却有本质的区别,不定积分是找一个函数的原函数,而Riemann定积分则是求Riemann和的极限,事实上它们之间毫无关系,既存在着没有原函数但Riemann可积的函数,也存在着有原函数但Riemann不可积的函数。但无论如何Newton-Leibniz 公式好比一座桥梁沟通了不定积分(微分学)和定积分(积分学),这也是Newton-Leibniz公式被称为微积分基本定理的原因。因此我们可以看出,微积分的核心内容就是学习两种新运算,了解两样新概念,熟悉一条基本定理而已。
上传时间: 2022-06-24
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电子元器件是组成电子电路的最小单位,也是修理中需要检测和更换的对象。本书对常用电子元器件的外形、性能、识别及检测技术进行了系统的分析,内容新颖、资料翔实、通俗易懂,具有较强的针对性和实用性。按照结构清晰、层次分明的原则,本书可分为以下几部分:第一部分为基本元器件篇。主要包括本书的第一章~第七章。重点介绍了电阻、电容、电感、变压器、二极管、三极管、场效应管、晶闸管的基本组成,识别方法和检测技巧。这些元器件是电路的基本组成元件,也是必须理解和掌握的内容。第二部分为特殊元器件篇。主要包括本书的第八章~第十二章。重点介绍了电声器件、石英晶体、陶瓷器件、开关、插接件、继电器、传感器和显示器件的识别及检测,这些元器件虽不如基本元器件应用广泛,但在电路中具有特殊的作用,是分析和理解电路的基础。第三部分为集成电路篇。主要包括本书的第十三章、第十四章。重点介绍了常用集成电路的分类、识别、检测和拆焊,并对应用十分广泛的集成稳压器进行了详细的分析。第四部分为贴片元器件篇。主要包括本书的第十五章。贴片状元器件(SMD/SMC)是无引线或短引线的新型微小型元器件,它适合于在没有通孔的印制板上安装,是表面组装技术(SMT)的专用元器件。目前,片状元器件已在计算机、移动通信设备、医疗电子产品等高科技产品和摄像机、彩电高频头、VCD机等家用电器中得到广泛应用。本篇重点分析了常用片状元件的性能及识别技巧,可供维修和使用片状元件时参考。本书具有较强的针对性和实用性,内容新颖、资料翔实、通俗易懂,同时,考虑到读者使用方便,对书中所给出的元器件均进行了认真的分类和总结。由于时间仓促,书中错漏之处在所难免,敬请广大读者批评指正。
标签: 电子元器件
上传时间: 2022-06-24
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