摘要：在光伏发电系统优化的研究中，为了有效提高太阳能利用率，建立了光伏电池等效电路和数学模型，在MATLAB/Simulink仿真环境下搭建光伏电池通用工程模型，光伏电池通过串并联方式组合成光伏阵列，并利用电导增量法原理通过控制Boost电路占空比实现光伏阵列最大功率点跟踪（MPPT），仿真结果表明：改进模型可仿真任意光照强度、环境温度下，不同型号光伏电池及其串并联组合成光伏阵列的1-V特性，并能较好控制并实现MPPT，模型动态性能好，具有较强的实用性。关键词：光伏电池；串并联组合；最大功率点跟踪
上传时间： 2022-06-19
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IGBT直流斩波电路的设计1设计原理分析1.1总体结构分析直流斩波电路的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。它在电源的设计上有很重要的应用。一般来说，斩波电路的实现都要依靠全控型器件。在这里，我所设计的是基于IGBT的降压斩波短路。直流降压斩波电路主要分为三个部分，分别为主电路模块，控制电路模块和驱动电路模块。电路的结构框图如下图（图1）所示。除了上述主要结构之外，还必须考虑电路中电力电子器件的保护，以及控制电路与主电路的电器隔离。1.2主电路的设计主电路是整个斩波电路的核心，降压过程就由此模块完成。其原理图如图2所示。如图，IGBT在控制信号的作用下开通与关断。开通时，二极管截止，电流io流过大电感L，电源给电感充电，同时为负载供电。而IGBT截止时，电感L开始放电为负载供电，二极管VD导通，形成回路。IGBT以这种方式不断重复开通和关断，而电感L足够大，使得负载电流连续，而电压断续。从总体上看，输出电压的平均值减小了。输出电压与输入电压之比a由控制信号的占空比来决定。这也就是降压斩波电路的工作原理。降压斩波的典型波形如下图所示。
上传时间： 2022-06-20
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激光探测技术是激光技术的一个最重要的方面。激光由于具有高亮度和方向性、单色性好等特点，因此在国防和民用领域中正发挥着越来越重的作用。脉冲激光探测技术作为激光探测技术的一种方式，正在成为世界研究的热点。本文以激光雷达为研究背景，在通过增大接收系统口径提高回波信号信噪比的前提下，从理论和实验上研究了脉冲激光回波信号特性对探测性能的影响。在理论和设计方面，本文首先对几种激光探测技术进行深入的研究。对脉冲激光测距中回波信号进行分析，并建立信噪比测距方程，在此基础上，推导回波信号功率和系统噪声公式。定量分析了接收系统三种主要的噪声，并从接收系统出发，研究接收口径和接收视场对探测信噪比的影响，在设计上，采用大口径物镜以提高回波信号强度，采用雪崩光电二极管（APD）作为光电探测器件，通过干涉滤光片和视场光阑降低系统背景噪声以提高回波信号信噪比。前置放大电路采用跨导放大电路结构，有效地对APD所输出的微弱电流信号进行放大。在实验方面，通过大量的实验和实验数据，研究了回波信号幅值和测距误差以及测距不确定度的关系，发现回波信号幅值越大，系统的测距误差和测距不确定度越小。研究了脉冲激光回波信号的幅值和上升时间的统计分布。分析了测距系统带宽对于系统探测概率和漏测率的影响，发现过小的系统带宽会使系统探测特性发生恶化。最后，对信噪比和探测概率的关系做了实验研究。本文的研究对脉冲激光探测理论有一定的完善作用，对后续系统的研制和探测指标的改善有很好的参考价值。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：得之我幸78
本次提供下载的 Altium Designer 22.5.1 - Build 42 仅用于学习使用。 Altium Designer 22.5.1 - Build 42 文件较大，所以存放在百度网盘中，本下载提供了 Altium Designer 22.5.1 - Build 42 的下载链接及提取密码，长期有效。 - 下载的 Altium Designer 22.5.1 - Build 42 经安装测试稳定可用 。 - 个人觉得每一个大版本中的最后一次更新，才是最完美的版本，此次更新的 Altium Designer 22.5.1 - Build 42 在2022年06月13日之前为AD22系列的最新版，并不是AD22 系列中的最后一个版本，所以现在要尝新的朋友们赶快来下载学习研究吧！~~ -Altium Designer软件功能 1、强劲的设计规则驱动 通过设计规则，您可以定义设计要求，这些设计要求共同涵盖设计的各个方面。 2、智能元器件摆放 使用Altium Designer中的直观对齐系统可快速将对象捕捉到与附近对象的边界或焊盘相对齐的位置。 在遵守您的设计规则的同时，将元件推入狭窄的空间。 3、交互式布线 使用Altium Designer的高级布线引擎，在很短的时间内设计出最高质量的PCB布局布线，包括几个强大的布线选项，如环绕，推挤，环抱并推挤，忽略障碍，以及差分对布线。 4、原生3D PCB设计 使用Altium Designer中的高级3D引擎，以原生3D实现清晰可视化并与您的设计进行实时交互。 5、高速设计 利用您首选的存储器拓扑结构，为特定应用快速创建和设计复杂的高速信号类，并轻松优化您的关键信号。Altium Designer软件特色 1、焊盘/通过热连接——即时更改焊盘和过孔的热连接样式。 2、Draftsman——Draftsman的改进功能使您可以更轻松地创建PCB制造和装配图纸。 3、无限的机械层——没有图层限制，完全按照您的要求组织您的设计。 4、Stackup Materials Library——探索Altium Designer如何轻松定义图层堆栈中的材质。 5、路由跟随模式——了解如何通过遵循电路板的轮廓轻松布置刚性和柔性设计。 6、组件回收——移动板上的组件而不必重新路由它们。 7、高级层堆栈管理器——图层堆栈管理器已经完全更新和重新设计，包括阻抗计算，材料库等。 8、Stackup Impedance Profiles Manager——管理带状线，微带线，单个或差分对的多个阻抗曲线。 9、实时跟踪更正——Altium Designer路由引擎在路由时主动停止锐角的创建，以及不必要的循环。 10、差分对光泽——无论您是进入还是离开打击垫，或只是在电路板上的障碍物周围导航，Altium Designer都可确保将差分对耦合在一起。
标签： Altium Designer
上传时间： 2022-06-20
上传用户：canderile
PCB电路如微带电路有较为显著的介质和辐射损耗，而传统金属波导虽然损耗低、信号干扰小，但其结构很难做到小型化和集成。因此这两种结构不适用于要求低功耗且空间尺寸受限的移动终端。采用基片集成波导（SIW）可同时降低损耗和增加可集成性，其兼备了金属波导和平面电路的优良属性，是未来5G毫米波终端应用场景最佳的选项之一。本文的主要内容包括：对SIw、波柬扫描阵、缝隙天线阵和Butler知阵多波束馈电网络等基本原理进行了简要的回顾。此四方面的知识是本文所有设计的理论支撑。系统梳理了siw.缝隙天线阵的设计步骤和Butler矩阵馈电网络的分析方法。提出了将4 x4 Butler矩阵多波束馈电网络用于木来5G终端天线的设计以实现多波束宽角度高增益信号覆盖、本文选择采用了多被束方案，并结合了sG移动终端设计了适用于5G终端的4x4 Buter矩阵多波束馈电网络和缝隙天线阵，加工测试表明多波束方案基本可满足未来5G终端天线的要求。在传统4x4 Butler的基础上，提出和设计了一款改进型的4x4 SIW Butler矩阵。从理论上验证了方案的可行性且推导了各个器件须满足的条件。新设计的Butler矩阵其核心是将移相器归入到3dB定向耦合器的设计中。仿真和测试结果表明，改进型的4x4 SIW Butler矩阵不仅拥有更好的输出幅相平坦度还具有比传统4x4 SIW Butler矩阵更高的设计灵活性。设计了一款3x3 SIw Butler矩阵。首先给出了该款矩阵的设计思路来源，然后从原理上验证了此矩阵设计的可行性和详细地推导出了3x3 Butler短阵的结构和器件参数。仿真和结果表明，该型Butler矩阵比4×4 SIW Butler矩阵尺寸更小、结构更简单，但具有和4×4 SIW Buter矩阵相当的增益值和波束覆盖范围。
上传时间： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
MOD（模式选择）MOD 输入，可以选择工作模式直接模式如果MOD 输入没有连接（悬空） ，或连接到VCC，选择直接模式，死区时间由控制器设定。该模式下，两个通道之间没有相互依赖关系。输入INA 直接影响通道1，输入INB直接影响通道2。在输入（ INA 或INB ）的高电位， 总是导致相应IGBT 的导通。每个IGBT接收各自的驱动信号。半桥模式如果MOD 输入是低电位（连接到GND），就选择了半桥模式。死区时间由驱动器内部设定， 该模式下死区时间Td 为3us。输入INA 和INB 具有以下功能： 当INB 作为使能输入时， INA 是驱动信号输入。当输入INB 是低电位，两个通道都闭锁。如果INB 电位变高，两个通道都使能，而且跟随输入INA 的信号。在INA 由低变高时，通道2 立即关断， 1 个死区时间后，通道1 导通。只
上传时间： 2022-06-21
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IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路，并优化了高频电流在不同电容间的分布，抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感，并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器，表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻，采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热，并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔，同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理，并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验，以确保每个器件在安全范围内工作；设计了系统控制和三类系统级保护电路：驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后，在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下，对变流模块进行了测试，并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。
上传时间： 2022-06-22
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在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料，1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10，而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统（UPS）的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高，输出电压稳定，无中断时间等显著优点，广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象，UPS中的1GBT的应用。
上传时间： 2022-06-22
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