一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
为了满足宽频段、细步进频率综合器的工程需求,对基于多环锁相的频率合成器进行了分析和研究。在对比传统单环锁相技术基础上,介绍了采用DDS+PLL多环技术实现宽带细步进频综,输出频段10~13 GHz,频率步进10 kHz,相位噪声达到-92 dBc/Hz@1 kHz,杂散抑制达到-68 dBc,满足实...
通常,我们都是在强调数据转换器中保持良好微分和积分线性度的重要性。不过,在一些 情况下,有意为之的非线性ADC和DAC(但保持良好的微分线性度)会非常有用,尤其是在 处理具有宽动态范围的信号时。...
针对Mean Shift算法不能跟踪快速目标、跟踪过程中窗宽的大小保持不变的特点。首先,卡尔曼滤波器初步预测目标在本帧的可能位置;其次, Mean Shift算法在这点的邻域内寻找目标真实的位置;最后,在目标出现大比例遮挡情况时,利用卡尔曼残差来关闭和打开卡尔曼滤波器。实验表明该算法在目标尺度变化、...
TAS5727EVM 评估板用于演示和证明德州仪器TAS5727 器件的性能。TAS5727 将一个高性能的PWM处理器与一个D 类音频功率放大器整合在一起。该EVM 可以利用两个桥接负载(BTL) (2.0) 来配置。如需了解有关TAS5727EVM 器件的详细信息,请查阅(器件数据表SLOS...