📚 安华高技术资料

📦 资源总数:14419
💻 源代码:19879

📚 安华高全部资料 (14419个)

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给...

📅