基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究
本文以In2O 3 及其混合物为敏感材料, 采用悬浮栅结构和功函数方法, 研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O 3 传感器, 并给出传感器对O 3 响应曲线以及实验结果的理论分析等.关
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在论述二氧化锡气敏机理的基础上,介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状,并对其发展趋势进行了展望。关键词: