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采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量（可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管）->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
CBB25金属化聚丙烯膜电容器结构及组成CBB25 型电容器采用金属化聚丙烯薄膜做介质，两端面喷金形成无感结构，CP 线单向引出，阻燃环氧树脂粉末包封
本文介绍了程控数字交换机上专用芯片MH89625C 的结构、功能以及我们在具体设计中的实际应用, 该芯片最大的优点是它集成了全部BORSCHT 功能。它是一种新型且功能齐全的用户接口,具有集成度高、接
应用模式耦合理论计算了外腔式Fabry-Perot（F-P）干涉型光纤传感器的输出光强与F-P腔长的关系。对组成F-P 腔的光纤端面进行了磨平抛光及镀多层电介质膜处理，使光纤端面反射率为70%
针对单机版薄膜蒸发器参数化设计系统的诸多局限性，研究了B/S 模式远程参数化设计的基本原理及实现方法，并开发了基于WebClass 的薄膜蒸发器远程参数化设计系统，对实现其它过程设备的远程参数化设计有