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基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

  • 资源大小:255 K
  • 上传时间: 2024-05-16
  • 上传用户:pagedown
  • 资源积分:2 下载积分
  • 标      签: HSGFET In2O3

资 源 简 介

本文以In2O 3 及其混合物为敏感材料, 采用悬浮栅结构和功函数方法, 研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O 3 传感器, 并给出传感器对O 3 响应曲线以及实验结果的理论分析等.

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