抗多径衰落是正交频分复用（OFDM）系统的显著特点之一。具体分析了 OFDM 抗多径的机理，说明了两种不同情况下多径对信号频谱的影响，并提出了相应的减轻多径影响的方法。通过仿真分析验证了HiperLAN Type2 标准规定的 OFDM 系统的抗多径性能，并提出了一些改善系统性能的方法。 关键词：正交频分复用；多径信道；循环前缀；信道
上传时间： 2016-06-05
上传用户：mengmeng
为 了提高 电力 电容器 的使 用率 ，延 长其 寿命 ，对 电力 电容 器进行 失效 分析是 十分必 要 的。与 传统 的电压 、 电流 表法和双电压表法相 比，现在测量 电容器 电容值大多采用 数字 电容表如 ：A I-6600 ，测量范 围宽 ，准 确度高 。通 过对一组 12 个滤波 电容器在 2003～2011 年期间运 行 中所 积 累的 电容值 数据 进行 比较 、分析 和讨论 ，指 出在轧 制 生产 线上谐波电流大 、环境 温度高是造成 电力 电容器 失效 的 主要原 因 ；并提 出 了切 实可 行 的预 防措 施 ，以抑制谐 波 、改善环境温度 、实现对 电力 电容器 的实 时监 测
上传时间： 2016-09-05
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基于量子力学的腐蚀机理-胡军这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
标签： 量子力学
上传时间： 2022-01-27
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该文档为神经网络的基本机理和结构讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 神经网络
上传时间： 2022-02-20
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开关电源中功率器件的失效原因分析及解决方案 开关电源各重要器件的失效分析
上传时间： 2022-04-16
上传用户：zhanglei193
近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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封装作为微电子产业的三大支柱之一，在微电子产业中的地位越来越重要。随着微电子产业不断的发展，轻型化，薄型化，小型化的微小间距封装成为发展需要。而封装的相关失效成为制约封装向前发展的瓶颈。本文通过大量的调研文献，对封装失效分析的目的，内容和现状进行总结，并对封装失效分析的未来发展进行展望。本文的主题是对封装中最重要的两个方面引线键合和塑料封装材料产生的相关失效进行归纳总结。本文从封装在微电子产业中的作用出发，引出对封装的失效进行分析的重要性，并说明了国内外封装产业的差距。对失效的基础概念，失效的分类进行了阐述；总结了进行失效分析的相关流程和进行失效分析最基本的方法和仪器。对封装中最普遍的引线键合工艺和塑封工艺分别进行了分析。对比了传统的Au线，Al线与Cu线键合工艺，说明了Cu引线键合技术代替传统的键合技术成为主流键合工艺的必然性；对Cu引线键合技术中出现的相关失效问题和国内外的研究结果进行了分析归纳。对塑料封装材料的发展进行了说明，指出环氧树脂为主流塑料封装材料的原因；对环氧树脂的组成以及在使用环氧树脂过程中出现的相关失效进行了归纳，并总结了环氧树脂未来的发展方向。
上传时间： 2022-06-24
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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从典型的表面贴装工厂的实践来看，半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效，以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交叉试验就可以确定失效与否，从而找到真正的原因。本文基于摩托罗拉汽车电子厂的实践简要介绍前两种失效形式，着重研究电学失效的特点和形式，前两种失效形式往往需要靠经验来判断，而电学失效更需要一定的理论知识给与指导分析。电学失效中，首先介绍芯片失效分析手段、分析程序，以及国内外失效分析实验室设备情况，在电学失效分析中所面临的最大挑战是失效点的定位和物理分析，在摩托罗拉汽车电子厂实践中发现，对产品质量影响最主要的是接孔（Via）失效，它是汽车整车装配厂客户的主要抱怨以及影响产品可靠性导致整车召回的主要原因之一。本文基于接孔失效实际案例中的统计数据，讨论了接孔失效的失效分布状态函数，回归了威布尔曲线，计算出分布参数m和c：在阿列里乌斯（Arhenius）失效模型的基础上建立了接孔失效模型，并计算模型参数温度寿命加速因子，从而估算出受器件影响的产品的寿命。本文目的旨在基于表面贴装工厂的具体芯片失效统计数据，进行实际工程的失效分析，探索企业建立失效分析以控制产品质量、提高产品可靠性的机制
标签： 半导体芯片
上传时间： 2022-06-26
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接地电阻值是反映变电站地网电气性能的主要参数之一,其合格与否将直接影响变电站和电网的安全运行.该文的主要工作是用矩量法对变电站电网的接地电阻进行数值计算和编制相应的应用软件.该文在Win95环境下利用32位的VB和C++语言编写了接地电阻数值计算的软件系统.该软件系统不仅可以计算均匀和分层均匀土壤中地网的接地电阻,还可以计算接触电压、跨步电压、地表电位分布、单元流散电流分布等.此外,该软件还具有显示和打印地表电位分布曲线及单元流散电流分布曲线的功能.该文的另外一部分工作是对变电站地网接地电阻的测量技术进行了初步研究.在分析电流电压法测量原理的基础上,探讨了布极误差和干扰误差的产生机理,并提出了消除这两种误差的具体方法,在理论上解决了土壤结构模型、测试极位置、地网尺寸和工频干扰等因素带来的测量误差,从而大大提高接地电阻的测量精度.
上传时间： 2013-06-03
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