为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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小信号放大电路设计
上传时间： 2013-11-22
上传用户：王庆才
放大电路设计
上传时间： 2014-12-23
上传用户：破晓sunshine
§6.1 反馈的基本概念及判断方法 §6.2 负反馈放大电路的四种基本组态 §6.3 方块图及一般表达式 §6.4 深度负反馈放大电路的增益 §6.5 负反馈对放大电路性能的影响 §6.6 负反馈放大电路的稳定性 §6.7 放大电路中其他形式的反馈
上传时间： 2014-12-23
上传用户：123啊
§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
标签： 基本放大电路
上传时间： 2013-11-17
上传用户：inwins
限幅放大器信号通道利用多级放大方式"降低了输出信号上升:下降时间"减小了级间驱动能力不匹配对信号完整性的影响#通过负反馈环路消除了信号通道上的偏移电压"采用独特的迟滞技术"使检测电路的迟滞对外接电阻变化不敏感!
上传时间： 2013-11-05
上传用户：s蓝莓汁
介绍了差动放大电路演变历程，理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式：应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究，并对实验现象进行了分析。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：zukfu
RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下: (1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考 电压. (2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成 电压信号进行放大处理.
上传时间： 2013-11-22
上传用户：linlin
在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：xauthu
本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lingfei
