给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法，以线性渐变为基础，通过仿真优化获取最优渐变，摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性，在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz，耦合度为-25dB的定向耦合器，利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：GeekyGeek
文中讨论了图像的高斯加性噪声模型和图像的稀疏性表示，提出了利用映射函数来描述图像的去噪过程，通过求解映射函数和利用映射函数对加噪图像的小波变换子带系数进行变换，达到了降低图像噪声并使加噪图像逼近原始图像的目的。经过实验比较，验证了本文算法的可行性和鲁棒性。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：许小华
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持三相补偿、分相补偿、混合补偿方案，可通过菜单操作进行设置。 5) 电容器投切控制程序支持等容/编码（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手动补偿/自动补偿两种工作方式。 7) 提供电平控制输出接口（+12V），动态响应优于20MS。 8) 取样物理量为无功功率，具有谐波测量及保护功能。 9) 控制器具有RS-485通讯接口，MODBUS标准现场总线协议，方便接入低压配电系统。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：dancnc
提出了一种用各向异性双变量拉普拉斯函数模型去模拟NSCT域的系数的图像去噪算法，这种各向异性双边拉普拉斯模型不仅考虑了NSCT系数相邻尺度间的父子关系，同时满足自然图像不同尺度间NSCT系数方差具有各向异性的特征，基于这种统计模型，文中先推导出了一种各向异性双变量收缩函数的近似形式，然后基于贝叶斯去噪法和局部方差估计将这种新的阈值收缩函数应用于NSCT域，实验结果表明文中提出的方法同小波域 BiShrink算法、小波域ProbShrink算法、小波域NeighShrink算法相比，能够有效地去除图像的高斯噪声，提高了图像的峰值信噪比；并较完整地保持了图像的纹理和边缘等细节信息，从而明显改善了图像的视觉效果。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：thuyenvinh
计算方法： 1) A值（相位）的计算：根据设置的相位值D（单位为度，0度-360度可设置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最终值； 2) B偏移量值的计算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的计算：按C=VPP/20V*4095；
上传时间： 2013-11-18
上传用户：xdqm
光电耦合器在音频放大器中的应用
上传时间： 2014-01-04
上传用户：qoovoop
目前，被广泛使用的经典边缘检测算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。这些算子的核心思想是图像的边缘点是相对应于图像灰度值梯度的局部极大值点。然而，当图像中含有噪声时这些算子对噪声都比较敏感，使得将噪声作为边缘点。由于噪声的干扰，不能检测出真正的边缘。一个拥有良好属性的的边缘检测算法是每个研究者的追求。利用小波交换的特点，设计了三次B样条平滑滤波算子。通过利用这个算子，对利用小波变换来检测图像的边缘进行了一定的研究和理解。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：kqc13037348641
为了提高图像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移，使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理，然后将降噪后的图像进行循环反平移，最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理，以减少去噪后图像的失真。实验结果表明，该方法不仅可以提高降噪后图像峰值信噪比，而且可以提高降噪后图像的视觉效果。
标签： Contourlet Spinning Cycle HMT
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ddddddos
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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平行耦合微带线带通滤波器在微波电路系统中广泛应用。为了提高带通滤波器性能，缩短设计周期，采用奇偶模原理分析与ADS（Advanced Design System）仿真相结合的方法，设计出一个中心频率为2.5 GHz，相对带宽为10%的平行耦合微带线带通滤波器。进一步优化参数，得到电路版图。最终结果证明，这种方法具有设计周期短、可靠性高的特点，且各项参数满足设计要求。
上传时间： 2013-10-12
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