看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
0欧电阻的作用
标签： 电阻
上传时间： 2014-12-23
上传用户：Yukiseop
I2C 的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K， 电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K.
上传时间： 2013-11-07
上传用户：michael20
软件 色环电阻计算
上传时间： 2014-11-23
上传用户：qlpqlq
BP8Y系列频敏变阻器(以下简称变阻器)专用于电机功率1.5~200kW，频率为50Hz的YZR系列起重及冶金用三相异步电动机频繁操作条件下的起动及反接设备。该变阻器直接连接于异步电动机的转子回路中， 不需另装接触器等短接设备；能使电动机获得接近恒转矩的机械特性，是极为理想的起动元件。
上传时间： 2013-11-04
上传用户：guojin_0704
BP8R3系列频敏变阻器(以下简称变阻器)适用于电机功率22～2240kW，频率为50Hz的绕线型三相异步电动机不频繁操作条件下的偶尔短时起动。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：togetsomething
差压式流量计的测量原理是基于流体的机械能相互转换的原理。在水平管道中流动的流体，具有动压能和静压能（位能相等），在一定条件下，这两种形式的能量可以相互转换，但能量总和不变。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：ccccccc
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：tdyoung
分析了调幅信号和载波信号之间的相位差与调制信号的极性的对应关系,得出了相敏检波电路输出电压的极性与调制信号的极性有对应关系的结论。为了验证相敏检波电路的这一特性,给出3 个电路方案,分别选用理想元件和实际元件,采用Multisim 对其进行仿真实验,直观形象地演示了相敏检波电路的鉴相特性,是传统的实际操作实验所不可比拟的。关键词:相敏检波;鉴相特性;Multisim;电路仿真 Abstract : The corresponding relation between modulation signal polarity and difference phases of amplitudemodulated signal and the carrier signal ,the polarity of phase2sensitive detecting circuit output voltage and the polarity of modulation signal are correspondent . In order to verify this characteristic ,three elect ric circuit s plans are produced ,idea element s and actual element s are selected respectively. Using Multisim to carry on a simulation experiment ,and then demonst rating the phase detecting characteristic of the phase sensitive circuit vividly and directly. Which is t raditional practical experience cannot be com pared.Keywords :phase sensitive detection ;phase2detecting characteristic ;Multisim;circuit simulation
上传时间： 2013-11-23
上传用户：guanhuihong
