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  • CPLD设计实现智能机器小车主要完成寻迹功能等

    智能机器小车主要完成寻迹功能,由机械结构和控制单元两个部分组成。机械结构是一个由底盘、前后辅助轮、控制板支架、传感器支架、左右驱动轮、步进电机等组成。控制单元部分主要由主要包含传感器及其调理电路、步进电机及驱动电路、控制器三个部分。本设计的核心为控制器部分,采用Altera MAX7000S系列的EPM7064LC84-15作主控芯片。CPLD芯片的设计主要在MAX+plusⅡ10.0环境下利用VHDL语言编程实现。驱动步进电机电路主要利用ULN2803作为驱动芯片。

    标签: CPLD 设计实现 智能机

    上传时间: 2013-08-30

    上传用户:ve3344

  • 一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案

    节点是网络系统的基本控制单元,论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案,它能够提高单节点并行处理能力,其模块化结构增强了节点的可靠性。

    标签: CPLD 多处理器 控制网络 节点设计

    上传时间: 2013-08-31

    上传用户:shanxiliuxu

  • 调频接收机经典设计讲解(超详细)

    介绍调频收音机各部分单元电路及功能,整机工作原理

    标签: 调频接收机

    上传时间: 2014-01-25

    上传用户:吾学吾舞

  • ADIS16334安装_机械设计指南和示例

    ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图,其中包括四个安装孔,配备嵌入式安装架,有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。

    标签: 16334 ADIS 机械 设计指南

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:taozhengxin

  • 在ADIS16480中调谐扩展卡尔曼滤波器

    ADIS16480是一款MEMS惯性测量单元(IMU),内置一个三轴加速度计、一个三轴陀螺仪、一个三轴磁力计和一个气压计。除了提供完全校准、帧同步的惯性MEMS传感器,ADIS16480还集成了一个扩展卡尔曼滤波器(EKF),可计算动态方位角。

    标签: 16480 ADIS 调谐 扩展

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:上善若水

  • 微波滤波器设计的新观点

    根据三角级数展开理论,将理想滤波器特性曲线做级数展开,然后用单节微带线逼近展开式中的一项或多项,级联后逼近理想的滤波器特性曲线。该方法避免了传统滤波器设计方法中的微带线建模分析的困难,在设计出的电路形式中,各单元的作用更易理解,给滤波器的调节也带来了方便。最后给出了该方法的设计实例,具有较好的频率特性曲线。

    标签: 微波滤波器

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:qq1604324866

  • 数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿

    针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求,提出一种在不断开模拟链路的前提下,采用单音测量WCDMA&LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦度,并采用最小二乘法,分别拟合射频、本振和中频的增益的方法。采用MATLAB工具产生滤波器系数,在基本不增加复杂度的基础上,通过DPD软件离线补偿中频的增益不平坦度。实际应用取得良好的补偿效果。

    标签: 数字预失真 反馈 增益

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:haohaoxuexi

  • 油气水多相流电容层析成像灵敏场仿真研究

    针对准确测量油气水多相流各分相含量的问题,采用了电容层析成像技术完成油气水多相流各分相含量测量。通过仿真分析了采用有限元分析方法的电极间的灵敏度特性,探讨了测量中的"软场"特性;结合灵敏度的分析,对单元滤波图象重建进行了仿真对比,得到单元滤波对图像重建有很大的改善。说明采用电容层析成像技术测量各分相含量的方案是可行的。

    标签: 油气水 多相 仿真研究 电容层析成像

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:hustfanenze

  • 555电路综合应用

    我们知道,555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中,除了单一品种的电路外,还可组合出很多不同电路,如:多个单稳、多个双稳、单稳和无稳,双稳和无稳的组合等。这样一来,电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路,更好的理解555电路,这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳,把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它的标准图型,指出他们的结构特点或识别方法外,还给出了计算公式和他们的用途。方便大家识别、分析555电路。下面将分别介绍这3类电路。

    标签: 555 电路

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:sun_pro12580

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL