电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面，其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础，也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气（GE）公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代，晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时，非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向品闸管、光控晶闸管等品闸管派生器件相继问世，广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点，其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断，属于半控型器件，因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下，随着理论研究和工艺水平的不断提高，电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展，先后出现了GTR，GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件，被称为第二代电力电子器件。近年来，电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展，如IGPT，MCT，HVIC等就是这种发展的产物
上传时间： 2022-06-18
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-20
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-21
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电子技术是一门发展迅速、实用性强、应用广泛的新技术，其应用已遍及国民经济的各个领域。为了满足电子工程技术人员的要求，我们组织编写了便于携带，便于随时查阀的《抽珍电子工程师手册》。本书是在《电子工程师手册》（机械工业出版社1995年出版，分上、下两册，总字数575.6万字）的基础上经浓缩、改编而成的，既取其精华，又适当增加了一些新内容。《袖珍电子工程师手册》共分12章，按其内容可分为电子技术基础和电子技术应用两部分。基础部分包括常用资料、阻容元件与表面组装元器件、半导体器件与集成电路、其他常用电子器件与电子线缆、模拟电路与数字电路、电子设备结构设计等内容。应用部分包括微波技术、广播与电视、通信技术、电力电子技术、电子测量、计算机等内容。限于我们的水平，难免有这样或那样的疏漏和错误。恳切期望有关专家学者和广大读者给予批评指正，以便在今后修订时作出进一步的修改、补充和完善。期望本手册的出版能为我国电子技术的推广应用起到促进作用。
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上传时间： 2022-06-22
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摘要：随着CCD性能的不断提高，CCD技术在军、民用领域都得到了广泛的应用。介绍了TCDI501C线阵CCD的驱动电路设计，详细介绍了用VHDL完成的CCD图像传感器驱动时序设计和视频输出差分信号驱动电路的设计。关键词：线阵CCD；图像传感器：仪器仪表放大器；差分驱动1引言电荷耦合器件（CCD，Charge Couple Device）是20世纪60年代末期出现的新型半导体器件。目前随着CCD器件性能不断提高，在图像传感、尺寸测量及定位测控等领域的应用日益广泛，CCD应用的前端驱动电路成本价格昂贵，而且性能指标受到生产厂家技术和工艺水平的制约，给用户带来很大的不便。CCD驱动器有两种：一种是在脉冲作用下CCD器件输出模拟信号，经后端增益调整电路进行电压或功率放大再送给用户；另一种是在此基础上还包含将其模拟量按一定的输出格式进行数字化的部分，然后将数字信息传输给用户，通常的线阵CCD摄像机就指后者，外加机械扫描装置即可成像。所以根据不同应用领域和技术指标要求，选择不同型号的线阵CCD器件，设计方便灵活的驱动电路与之匹配是CCD应用中的关键技术之一。
上传时间： 2022-06-22
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我国的汽车电子与国外相比发展还相对比较落后，但其增长速度很快。据初步估计，我国的汽车电子系统总市值2004年为40亿美元左右，2006年将超过75亿美元，2008年将超过120亿美元。可以说中国的汽车电子系统产业具有巨大的市场潜力待开发，但目前大部分的汽车电子系统还依赖进口或由国外汽车电子系统公司在国内制造。国内汽车电子系统厂商无论从生产、制造，还是新产品的开发方面均比较落后。作为全球最大的汽车电子半导体器件供应商，飞思卡尔（原摩托罗拉半导体部）一直致力于汽车电子半导体器件的开发与推广，其丰富的半导体器件可用于所有的汽车电子系统控制单元中。推广飞思卡尔汽车电子半导体技术的应用，促进相关技术的科研与人才培养是飞思卡尔大学计划的一个重要部分，为此，飞思卡尔半导体已与国内包括北京理工大学在内多所大学在汽车电子领域开展了全方位的合作。本书作为双方合作的结晶之一，系统介绍了各类汽车电子系统的基本原理及控制方式，并扼要介绍了飞思卡尔用于汽车电子系统的半导体器件及系统解决方案。它可以作为汽车公司/汽车电子公司汽车电子系统开发的参考书，也可以用作汽车电子系统的教学，可以说是一本全面介绍汽车电子系统（包括汽车电子系统开发）的好书。我相信本书的出版对于中国汽车电子产业的发展会有积极的促进作用。
标签： 汽车电子
上传时间： 2022-06-23
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机械工业是国民经济的装备部门，而标准化和计量测试是机械工业发展的基础和先决条件。在机械制造中，精密加工必须靠精密的测量手段来保证，加工精度的提供与计量技术的发展水平密切相关。测量与控制是促进科技发展的一个重要因素。CCD（Charge Coupled Device），电荷耦合器件，是70年代初发展起来的新型半导体器件，其设计思想是由美国贝尔实验室的Boyer与Smith于70年代提出]。二十多年来，CCD的研究取得了惊人的进展，特别是在传感器应用方面发展迅速，已成为现代光电子学与现代测试技术中最活跃、最富有成果的新兴领域之一。由于CCD具有自扫描、高分辨率、高灵敏度、重量轻、体积小、像素位置准确、耗电少、寿命长、可靠性好、信号处理方便、易于与计算机配合等优点，致使CCD光电尺寸测量的使用范围和特性比现有的机械式、光学式、电磁式量仪优越得多。特别值得注意的是CCD尺寸测量技术是一种非常有效的非接触检测方法，它使加工、检测和控制过程融为一体成为可能。利用CCD作为光敏感器件的激光三角法测量技术在非接触尺寸、位置测量中得到了广泛应用。它将激光束投射到被测物面所形成的漫反射光斑作为传感信号，用透镜成像原理将收集到的漫反射光汇集到CCD上形成像点，当入射光斑随被测物面移动时，成像点在CCD上作相应移动，根据象移大小和传感器的结构参数可以确定被测物面的位移量，若在物体两边同时测量就可以得到物体的厚度。
上传时间： 2022-06-23
上传用户：xsr1983
1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制，达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展，工作频率已逐步由低频，向中频、高频方向发展。在电力电子学中，一般定义工作在400赫兹以下的频率称为低频；400赫兹以上、10千赫兹以下为中频；10千赫兹以上为高频。在实践中，人们逐渐认识到高频化潜在着巨大的优越性甚至不仅仅是量的变化，而是质的变化，是电力电子发展的飞跃。就电源而言，从工作在低频下50Hz传统直流电源到今天的开关电源（指广义开关电源）不仗达到小塑轻量化的自的，而直潜在着对应用对象的工艺性能有极大的改善如高频逆变式整流焊机电源、高频直流电渡电源等。然而这些电源都要进行高频整流。高频整流中一些在低频整流中被忽视的问题而在高频设计中必须被认真考虑，予以重视。
标签： 高频
上传时间： 2022-06-25
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-25
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本书总结了作者多年的教学实践经验，将电子线路课程内容与电子线路的计算机辅助分析及设计紧密结合起来，以适应教学改革的需要，全书共 分 为 10 章 ，内容是，绪论，PSp,ee 的主要分析功能 介 绍，电路 元器件和模型，电路宏模 型，半导体器件基础，模拟集成电路的基本单元电路，反馈放大电路，集成运算放大器及其应用电路，脉冲波形的产生与处理电路，正弦自激振荡电路。本书从 电子线路的计算机辅助分析 与设 计的基本概念出 发，系统介绍 了用 PSp, ce 教件分析与设计模拟电路的技术与方法，并对摸拟电子线路的主要内容进行了系统、深人的分析计算和总结讨论，使读者不但能够更探人地学习和理解电子线路课程中各章节的内容，而且能初步掌握电路模拟的方法与技术，为正确使用和设计模拟集成电路，更快地进人电子设计自动化领域打下良好的基础。本书可作为高等学校电子、通信、自动化类及其它相近专业本科生的教材，也可作为研究生和从事电路与系统设计的科技人员的技术参考书，或者作为电 子线路 CAD 的培训教材，
上传时间： 2022-07-10
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