【摘要】数字化技术随着低成本、高性能控制芯片的出现而快速发展，同时也推动着开关电源向数字控制发展。文章利用一款新型数字信号控制器（DSC）ADP32，完成了基于DSC的数字电源应用研究，本文提供了DC/DC変換器的完整数字控制解决方案，數字PID朴偿技米，精确时序的同步整流技术，以及PWM控制信号的产生等，最后用一台200w样机验证了数字控制的系统性能。【关键词】数字信号控制器；同步整流；PID控制；数字拉制1引言随着半导体行业的快速发展，低成本、高性能的DSC控制器不断出现，基于DSC控制的数字电源越来越备受关注，目前“绿色能源”、“能源之心”等概念的提出，数字控制的模块电源具有高效率、高功率密度等诸多优点，逐渐成为电源技术的研究热点.数字电源（digital powerspply）是一种以数字信号处理器（DSP）或微控制器（MCU）为核心，将数字电源驱动器、PWM控制器等作为控制对象，能实现控制、管理、监测功能的电源产品。具有可以在一个标准化的硬件平台上，通过更新软件满足不同的需求".ADP32是一款集实时处理（DSP）与控制（MCU）外设功能与一体的数字信号控制器，不但可以简化电路设计，还能快速有效实现各种复杂的控制算法。2数字电源系统设计2.1数字电源硬件框图主功率回路是双管正激DCDC变换器，其控制方式为脉冲宽度调制（PWM），主要由功率管Q1/Q2、续流二极管D1/D2、高频变压器、输出同步整流器、LC滤波器组成。
标签： 数字电源
上传时间： 2022-06-18
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用于半导体物理学习的基础书籍，2007版叶修良著下
标签： 半导体物理
上传时间： 2022-06-19
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用于半导体物理学习的基础书籍，2007版叶修良版本上
标签： 半导体物理
上传时间： 2022-06-19
上传用户：ttalli
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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永光电子有限公司（873厂），二极管，稳压管，三极管，稳压器等手册资料
上传时间： 2022-06-21
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IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路，并优化了高频电流在不同电容间的分布，抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感，并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器，表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻，采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热，并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔，同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理，并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验，以确保每个器件在安全范围内工作；设计了系统控制和三类系统级保护电路：驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后，在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下，对变流模块进行了测试，并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。
上传时间： 2022-06-22
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LED（发光二极管）是一种电致发光的光电器件，是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。LED显示屏是20世纪90年代出现的新型平板显示器件，由于其亮度高、画面清晰、色彩鲜艳，使它在公众多媒体显示领域一枝独秀，LED显示器作为现代信息发布的重要媒体，在金融证券、体育、教育、交通、旅游、工业、商业、电力、电信、仓储、矿山、广告宣传和国防军事等许多领域得到了广泛的应用，因此市场空间巨大。相对于现在市面上主流的LCD显示技术，LED在亮度、功耗、可视角度和刷新速率等方面，都更具优势。LED与LCD的功耗比大约为10：1，而且更高的刷新速率使得LED在视频方面有更好的性能表现，能提供宽达160的视角可以显示各种文字、数字、彩色图像及动画信息，也可以播放电视、录像、VCD.DVD等彩色视频信号，多幅显示屏还可以进行联网播出。有机LED显示屏的单个元素反应速度是LCD液晶屏的1000倍，在强光下也可以照看不误，并且适应零下40度的低温。利用LED技术，可以制造出比LCD更薄、更亮、更清晰的显示器，拥有广泛的应用前景。
上传时间： 2022-06-23
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
上传时间： 2022-06-26
上传用户：xsr1983
从典型的表面贴装工厂的实践来看，半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效，以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交叉试验就可以确定失效与否，从而找到真正的原因。本文基于摩托罗拉汽车电子厂的实践简要介绍前两种失效形式，着重研究电学失效的特点和形式，前两种失效形式往往需要靠经验来判断，而电学失效更需要一定的理论知识给与指导分析。电学失效中，首先介绍芯片失效分析手段、分析程序，以及国内外失效分析实验室设备情况，在电学失效分析中所面临的最大挑战是失效点的定位和物理分析，在摩托罗拉汽车电子厂实践中发现，对产品质量影响最主要的是接孔（Via）失效，它是汽车整车装配厂客户的主要抱怨以及影响产品可靠性导致整车召回的主要原因之一。本文基于接孔失效实际案例中的统计数据，讨论了接孔失效的失效分布状态函数，回归了威布尔曲线，计算出分布参数m和c：在阿列里乌斯（Arhenius）失效模型的基础上建立了接孔失效模型，并计算模型参数温度寿命加速因子，从而估算出受器件影响的产品的寿命。本文目的旨在基于表面贴装工厂的具体芯片失效统计数据，进行实际工程的失效分析，探索企业建立失效分析以控制产品质量、提高产品可靠性的机制
标签： 半导体芯片
上传时间： 2022-06-26
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复旦研究生课程《半导体器件物理课》课件，课件简洁明了，直击重点内容。非常值得学习。
标签： 半导体器件
上传时间： 2022-06-27
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