2018专升本操作系统综合实践题目参考
上传时间： 2019-06-17
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电力电子器件及应用技术电力电子器件及应用技电电力电子器件及应用技术力电子器件及应用技术术
标签： 电力电子器件及应用技术
上传时间： 2019-07-01
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
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2018年河南专升本高数真题 。。。。后续持续上传中
标签： 高数
上传时间： 2021-09-17
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电磁兼容学科是一门综合性交叉学科，实用性很强。本书注重从实际出发，结合强电类工程实际的特点，介绍了电磁兼容的基本知识，包括电磁干扰的产生和电磁兼容性的实现技术，以及一些常见的电磁干扰问题及其解决方法。
上传时间： 2021-10-16
上传用户：bluedrops
电磁兼容学科是一门综合性交叉学科，实用性很强。本书注重从实际出发，结合强电类工程实际的特点，介绍了电磁兼容的基本知识，包括电磁干扰的产生和电磁兼容性的实现技术，以及一些常见的电磁干扰问题及其解决方法。本书第1 章介绍了电磁兼容的基本概念和电磁干扰源及危害。第2 章介绍了传导和辐射两类干扰的产生机理。第3 章至第5 章介绍了接地、屏蔽和滤波等三种主要的电磁兼容性技术。第6 章介绍了电磁干扰的发射和敏感性测量技术。第7 至第9 章结合实际，具体介绍了静电防护、电子系统的电磁兼容设计和浪涌抑制技术。第10 章介绍了与电力系统相关的一些典型的电磁兼容问题。
标签： 电磁兼容
上传时间： 2021-10-16
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BUCKBOOST电路原理分析uck变换器：也称降压式变换器，是一种输出电压小于输入电压的单管不隔离直流变换器。 图中，Q为开关管，其驱动电压一般为PWM(Pulse、width、modulation脉宽调制)信号，信号周期为Ts，则信号频率为f=1/Ts，导通时间为Ton，关断时间为Toff，则周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost变换器：也称升压式变换器，是一种输出电压高于输入电压的单管不隔离直流变换器。 开关管Q也为PWM控制方式，但最大占空比Dy必须限制，不允许在Dy=1的状态下工作。电感Lf在输入侧，称为升压电感。Boost变换器也有CCM和DCM两种工作方式 Buck/Boost变换器：也称升降压式变换器，是一种输出电压既可低于也可高于输入电压的单管不隔离直流变换器，但其输出电压的极性与输入电压相反。Buck/Boost变换器可看做是Buck变换器和Bo
上传时间： 2021-10-18
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設計高速電路必須考慮高速訊 號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應，才比較可能獲得高品質且可靠的設計， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之 各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進修學習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應，抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術，必須充分 了解研究學習，進而才可設計出優良之教學教材及教具。
标签： 高速电路
上传时间： 2021-11-02
上传用户：jiabin
概述●TX6301 是一款宽输入输出电压范围的高精度、高效率的升降压型 LED 恒 流驱动控制芯片。●芯片采用电流模闭环控制方式，可实现高精度的恒流驱动。●工作 频率可通过外接电容调整。内置逐周期限流保护，软启动，过温保护等功能，保证 系统可靠性。●内置调光脚，可通过 CE 脚加PWM 信号进行 LED 灯调光。●芯片具 有稳定可靠、动态响应快等优点，并能实现高精度、高效率升降压恒流驱动。●内置 VDD 稳压管,芯片采用 SOP8 封装。
标签： TX6301
上传时间： 2021-11-05
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作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
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