ESD Protection in CMOS ICs - 免费下载
书籍资源
文件大小：6545 K
📋 资源详细信息
💡 温馨提示：本资源由用户 shancjb 上传分享，仅供学习交流使用。如有侵权，请联系我们删除。
资源简介
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微
米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造
成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。
在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain)
製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與
Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製
程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造
成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。
在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain)
製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與
Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製
程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
立即下载此资源
提示：下载后请用压缩软件解压，推荐使用 WinRAR 或 7-Zip
资源说明
下载说明
- 下载需消耗 2积分
- 24小时内重复下载不扣分
- 支持断点续传
- 资源永久有效
使用说明
- 下载后用解压软件解压
- 推荐 WinRAR 或 7-Zip
- 如有密码请查看说明
- 解压后即可使用
积分获取
- 上传资源获得积分
- 每日签到免费领取
- 邀请好友注册奖励
- 查看详情 →