单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源;负电源输入接地。VIN 为输入信号源,其表现为一个在接地电位(±0 V)附近摆动的接地参考信号,从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o,并且电平转换为VOCM。
上传时间: 2013-10-31
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文中简要介绍了电流型运放的特性,着重对电流型运放的应用电路进行测试,研究电流型运放的应用特性。实验中,选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器,通过对此3类应用电路的测试,分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响,为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。
上传时间: 2013-10-18
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使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
上传时间: 2013-10-23
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关于相位噪声专题的信息有很多,包括相位噪声特性1、相位噪声测量方法2以及它对系统性能的影响3。众所周知,振荡器和时钟的相位噪声已成为导致现代无线电系统性能降低的因素之一。然而,大多数传统相位噪声分析仅将重点放在单载波无线电系统中正弦波信号的降低,而相位噪声对多载波接收机、宽带系统或数字无线电的影响则很少涉及。本应用笔记将讨论一些与数据采样系统相位噪声有关的鲜为人知的问题,主要是多载波无线电、宽带信号和欠采样无线电架构等
上传时间: 2013-10-30
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基于探索 RLC串联电路谐振特性仿真实验技术的目的,采用Multisim10仿真软件对RLC串联电路谐振特性进行了仿真实验测试,给出了几种Multisim仿真实验方案,介绍了谐振频率、上限频率、下限频率及品质因数的测试和计算方法,讨论了电阻大小对品质因数的影响。结论是仿真实验可直观形象地描述RLC串联电路的谐振特性,将电路的硬件实验方式向多元化方式转移,利于培养知识综合、知识应用、知识迁移的能力,使电路分析更加灵活和直观。
上传时间: 2013-10-12
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分析了调幅信号和载波信号之间的相位差与调制信号的极性的对应关系,得出了相敏检波电路输出电压的极性与调制信号的极性有对应关系的结论。为了验证相敏检波电路的这一特性,给出3 个电路方案,分别选用理想元件和实际元件,采用Multisim 对其进行仿真实验,直观形象地演示了相敏检波电路的鉴相特性,是传统的实际操作实验所不可比拟的。关键词:相敏检波;鉴相特性;Multisim;电路仿真 Abstract : The corresponding relation between modulation signal polarity and difference phases of amplitudemodulated signal and the carrier signal ,the polarity of phase2sensitive detecting circuit output voltage and the polarity of modulation signal are correspondent . In order to verify this characteristic ,three elect ric circuit s plans are produced ,idea element s and actual element s are selected respectively. Using Multisim to carry on a simulation experiment ,and then demonst rating the phase detecting characteristic of the phase sensitive circuit vividly and directly. Which is t raditional practical experience cannot be com pared.Keywords :phase sensitive detection ;phase2detecting characteristic ;Multisim;circuit simulation
上传时间: 2013-11-23
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摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MoSFET驱动电路具有指导意义.
上传时间: 2013-11-10
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本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间: 2013-11-22
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虚短和虚断的概念 由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。 “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。 由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA,远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时,可以把两输入端视为等效开路,这一特性 称为虚假开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。 在分析运放电路工作原理时,首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大,什么加法器、减法器,什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你,让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数,这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中,把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。
上传时间: 2013-11-04
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.MS Access Database方式 设计过程中的全部文件都存储在单一的数据库中,同原来的Protel99文件方式。即所有的原理图、PCB文件、网络表、材料清单等等都存在一个.ddb文件中,在资源管理器中只能看到唯一的.ddb文件。 2. Windows File System方式 在对话框底部指定的硬盘位置建立一个设计数据库的文件夹,所有文件被自动保存的文件夹中。可以直接在资源管理器中对数据库中的设计文件如原理图、PCB等进行复制、粘贴等操作。 注:这种设计数据库的存储类型,方便在硬盘对数据库内部的文件进行操作,但不支持Design Team特性。 二、 方便的文件查找功能
上传时间: 2013-10-13
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