当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时并联电阻对光电池影响较小，串联电阻对开路电压机会没有影响，但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池，提高其填充因子FF。 砷化镓电池的旁路电阻大于1K，对输出特情基本没有影响，当总串联电阻增加到5时，电池的转换效率就要下降30%，可见串联电阻对砷化镓太阳能电池的影响是较大的，最近对于硅电池，要求实用化的产品的串联电阻在0.5以下。 影响太阳能电池转换效率的一些因素 主要以硅电池为例 光生电流的光学损失，有三种：
上传时间： 2014-01-21
上传用户：离殇
高功率因数、高效率、低噪音是电源装置和用电设备普遍追求的品质。本文以单相有源功率因数校正控制器和高性能功率模块的研制、开发为依托，对其从理论和应用开发两个方面进行了较为全面的研究和讨论。
上传时间： 2014-01-22
上传用户：llwap
TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进 行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各 种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲 击负荷补偿的技术难题,属国内首创,填补了国内空白。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：199311
概述 直流—直流电源模块，是多路直流输出稳压电源.输出功率最大可达162.4W，工作效率为75%，各路输出均有限流、短路保护功能。封装形式为铝外壳结构。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：爺的气质
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lifangyuan12
广州致远电子有限公司近期推出了系列的工业级微功率DC-DC电源模块，能够广泛应用于低频模拟电路，大功率IGBT驱动,纯数字电路,模拟前端隔离电路,RS232/RS485/D422隔离通讯接口，CAN-BUS隔离通讯接口，运算放大器电源和手持便携仪表等多种场合。其全面性与成熟可靠的设计，可以解决用户在电源和模拟前端部分设计中所遇到的较多难题，并可以节省开发时间，使用户的产品更快推出市场.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：妄想演绎师
分析了对小功率光伏并网逆变器拓扑结构的要求，简单介绍了几种典型的并网逆变器的拓扑结构，指出了各个拓扑结构的优缺点、效率和适用场合。给出了一种利用软开关技术的单相全桥并网逆变器的拓扑结构（DC/AC），分析了其工作过程，通过谐振可以实现主功率开关的零电压开通和关断，而且辅助开关和二极管都是零电流开通和关断，大大减小了功率器件的开关损耗，提高了逆变器的效率。最后，介绍了开关器件的选择问题
上传时间： 2013-10-13
上传用户：royzhangsz
摘要:根据嵌入式系统电源的实际需求，以FSD200小功率单片开关电源集成电路为核心，结合可调式精密稳压器TL431和线性光耦PC817等外围器件，设计并实现了适合嵌入式系统使用的多路小功率开关电源。关键词:嵌入式系统；FSD200；开关电源
上传时间： 2013-12-07
上传用户：黑漆漆
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
