功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2013-12-18
上传用户：ccclll
电源电路是指车载功放的电源部分的设计，使用的电路形式和特点。对于一个功放来说，其电源部分非常重要，专业功放的电源电路的容量往往是根据放大器的实际消耗，再加足够的富裕量，因此比同样标称功率的普通功放的容量大得多，因此电源电路可以从一个侧面反映出整个功放的好坏。常见的电源电路有D级放大器电路、MOS
上传时间： 2014-01-14
上传用户：我叫李小进
研究了超级电容快速充电方法，分析了恒功率快速充电的原理，并通过比较恒电流和恒功率两种方法，证明了恒功率充电更有利于实现快速充电。根据恒功率充电原理，制作了快速充电样机。实验表明该样机电路稳定，能够实现快速充电要求，具有良好的实用前景。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：781354052
采用双极型开关管的逆变器，基极驱动电流基本上为开关电流的1/β，因此大电流开关电路必须采用多级放大，不仅使电路复杂化，可靠性也变差而且随着输出功率的增大，开关管驱动电流需大于集电极电流的1/β，致使普通驱动IC无法直接驱动。虽说采用多级放大可以达到目的，但是波形失真却明显增大，从而导致开关管的导通/截止损耗也增大。目前解决大功率逆变电源及UPS的驱动方案，大多采用MOS FET管作开关器件。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：zhaoq123
电视机电源的设计是一个系统工程，不但要考虑电源本身参数设计，还要考虑安全性设计、电磁兼容设计、电气设计、热设计、成本设计等方面。因为电性能方面那怕是最微小的疏忽，都可能导致整个系统的崩溃，也会被市场淘汰，整个产品的生存都会受到影响，充分认识到电源产品可靠性设计的重要性和复杂性，对于电视机整机电路的设计非常重要。我们电视机类产品中40－200W 输出功率要求的电源一般选用单端反激式拓扑结构，具有电路简单、成本低、输出电压稳定性好，瞬间调整率高，可靠性经过长期验证，基本可以满足电视机行业的需要。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：HZB20416
目前的有源电力滤波器通常是采用基于瞬时无功功率理论的谐波电流检测方法。其中的ip-iq算法需要用到与电网电压同步的正余弦信号，即与电网电压同频同相的标准正余弦信号。该信号的获取可以采用锁相环加正余弦函数发生器的方法，也可采用软件查表的方法。本设计采用全硬件电路完成，即通过锁相环加正弦函数发生器的方法，可自动实时跟踪电网电压的频率和相位，不占用微处理器的软、硬件资源，大大降低了谐波检测算法编程的复杂度。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wxnumen
锂电池充电控制器MAX1811的引脚参数及电路 MAX1811是美信公司生产的USB接口单节锂电池充电控制器，它可以直接由USB端口供电，或由其他外部电源供电，电源电压可达+6.5V。 1 特性 MAX1811无须微处理器控制，最大充电电压可由引脚设置为4.1 V或4.2 V，最大误差为0.5%。 MAX1811对电池充电电流可通过逻辑控制电路置为100mA或500mA，符合USB的电流标准。MAX1811工作于线性模式，无须外部电感，内置的MOSFET功率开关有效节省了线路板尺寸。 当采用U部端口电源给电池充电时，对于低功率USB端口，应将MAX1811芯片的SETI端电位拉低，其充电电流设定为100mA，对于高功率的USB端口，应将MAX1811芯片的SETI引脚接高电平，此时充电电流设定为500mA;将5ETV端接高电平或接低电平，锂电池的充电电压分别被设置为4.2 V或4.1 V。MAX1811的CHG端允许芯片在充电期间点亮LED。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：完玛才让
在大功率弧焊电源设计中，IGBT 已成为主流的可控功率开关器件。IGBT 驱动电路作为功率电路和控制电路之间的接口，应具备驱动延迟小、安全隔离、IGBT 过电流／过电压保护准确等功能。针对新型高压大功率IGBT 驱动模块2ED300C17－S 的过电流检测及保护功能进行了研究，提出了与过电流保护功能相关的参数选择原则，并进行了实验验证。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：kaje
广州致远电子有限公司近期推出了系列的工业级微功率DC-DC电源模块，能够广泛应用于低频模拟电路，大功率IGBT驱动,纯数字电路,模拟前端隔离电路,RS232/RS485/D422隔离通讯接口，CAN-BUS隔离通讯接口，运算放大器电源和手持便携仪表等多种场合。其全面性与成熟可靠的设计，可以解决用户在电源和模拟前端部分设计中所遇到的较多难题，并可以节省开发时间，使用户的产品更快推出市场.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：妄想演绎师
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
