IGBT驱动电路的设计.
电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气(GE)公司研制...
电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气(GE)公司研制...
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有M...
作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 ...
本手册包含基本的半导体背景知识,能够让读者对应用可能性与应用限制有更好的了解。封装技术与组装技术是影响模块性能与现场应用限制的主要因素,书中对此进行了深入阐释。文章中还论述了可靠性数据、生命周期分析以...
Sentaurus TCAD全面继承了Tsuprem4,Medici和ISE-TCAD的特点和优势,它可以用来模拟集成器件的工艺制程,器件物理特性和互连线特性等。Sentaurus TCAD提供全面的...
目前在各行各业中应用种类繁多的测量仪器随着仪器性能指标要求的逐渐提升以及功能的不断拓展,对仪器控制系统的实时性和集成化程度等性能的要求也越来越高。目前发展的趋势是开放式、集成度向芯片级靠拢的高实时性仪...
常用半导体的组成与结构...
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该...
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。主要由整流(交流变直流)、滤波、再次整流(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成的。 目前,...