对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究，该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势，是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）实现了加速度计的圆片级封装，并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：JasonC
放大效果很好，低噪声
上传时间： 2014-12-23
上传用户：yzhl1988
详细讲解了运算放大的原理内部电路，与运放的所有应用电路。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：小宝爱考拉
放大电路的频率效应
上传时间： 2013-10-24
上传用户：qiulin1010
电路仿真不仅应用于电路设计阶段，也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论，分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题，深入探讨了电路仿真技术的原理和发展，重点研究了新的电路仿真算法，并将其应用于模拟电路仿真系统中。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：hopy
基于Multisim8的弱信号放大电路的设计与仿真
上传时间： 2014-12-23
上传用户：huxiao341000
AD5933/AD5934的电流-电压（I-V）放大级还可能轻微增加信号链的不准确性。I-V转换级易受放大器的偏置电流、失调电压和CMRR影响。通过选择适当的外部分立放大器来执行I-V转换，用户可挑选一个具有低偏置电流和失调电压规格、出色CMRR的放大器，提高I-V转换的精度。该内部放大器随后可配置成一个简单的反相增益级。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：wangzeng
低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5 dB，输入输出驻波比小于2，达到设计指标。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：brilliantchen
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围，应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真，结果表明，在1.2 V的工作电压下，具有76 dB的增益，控制电压范围超过0.8 V，带宽范围从34 MHz到183.6 MHz，功耗为0.82 mW。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：笨小孩
利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终使得该LNA在2~4 GHz波段内增益大于20 dB，噪声小于1.2 dB，输出电压驻波比小于2，达到了设计指标的要求。
上传时间： 2014-07-03
上传用户：远远ssad
