摘要:单片机课程教学的实践性强,首先分析了目前单片机实验教学的实际情况;为了提高单片机实验的教学效果、培养学生的实验技能和创新能力,在此引入了Keil和Proteus两个软件,将两者结合起来用于单片机的仿真实验,它们的特点分别是电子元件丰富、支持第三方的软件编辑、强大的原理图绘制功能和系统资源丰富、硬件投入少、形象直观等,最后通过彩灯循环的实验教学实例说明仿真的效果,并以此证明用仿真实验在单片机实验教学改革中的良好效果。关键字:单片机;实验教学;仿真;Keil;Proteus
上传时间: 2013-11-14
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基于探索仿真三态门总线传输电路的目的,采用Multisim10仿真软件对总线连接的三态门分时轮流工作时的波形进行了仿真实验测试,给出了仿真实验方案,即用Multisim仿真软件构成环形计数器产生各个三态门的控制信号、用脉冲信号源产生各个三态门不同输入数据信号,用Multisim仿真软件中的逻辑分析仪多踪同步显示各个三态门的控制信号、数据输入信号及总线输出信号波形,结论是仿真实验可直观形象地描述三态门总线传输电路的工作特性,所述方法的创新点是解决了三态门的工作波形无法用电子实验仪器进行分析验证的问题。
上传时间: 2013-12-14
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基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。
上传时间: 2013-11-04
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提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
上传时间: 2013-10-18
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设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。
上传时间: 2013-11-10
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提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。
上传时间: 2013-11-10
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利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终使得该LNA在2~4 GHz波段内增益大于20 dB,噪声小于1.2 dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。
上传时间: 2014-07-03
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给出了具有置0、置1功能及不确定输出状态的同步RS触发器的Multisim仿真方法,即用字组产生器产生所需的各类输入信号,用四踪示波器同步显示输入信号及状态输出信号的波形,可直观描述触发器的置0、置1过程及不确定状态的产生过程。分析了同步RS触发器不确定输出状态的Multisim仿真方案。所述方法的创新点是解决了同步RS触发器的工作波形无法用电子实验仪器进行分析验证的问题。
上传时间: 2013-10-12
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产品广泛应用电力,通讯、仪表仪器、医疗设备,工业控制、汽车电子、安防、广电仪器等领域。 此资料来源于www.szisolation.com 更多详细资料欢迎查阅与浏览 公司拥有一批素质高研发能力强的科研人才和管理人才。公司本着“以人为本,科学创新”的理念,为广大客户提供满意的服务,客户是的满意始终是我们进步的动力。我们博采众长,精湛设计,优选器件,高效管理,严格控制产品的每一道工序。质量是企业生存之本,今天的信誉就是明天的市场。
上传时间: 2013-10-13
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设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除和非线性失真抵消,具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计,芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V,总电流为8 mA,后仿真结果增益为19.2 dB,噪声因子为2.5 dB,输入1 dB压缩点为-5.2 dBm。
上传时间: 2014-01-21
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