高电源抑制比带隙基准电路设计
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证...
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变...
基于PWM逆变器的LC滤波器...
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