数控等离子切割系统的抗干扰措施
标签： 数控 抗干扰措施 等离子切割系统
上传时间： 2013-11-19
上传用户：奔跑的雪糕
等离子技术WKB方法的文章。等离子体隐身技术的WKB方法
标签： WKB 等离子 等离子体 隐身技术
上传时间： 2013-12-29
上传用户：924484786
java手游等离子战机，开发环境CLDC1.1.MIDP2.0，空战小游戏永远经典。
标签： java 等离子
上传时间： 2017-04-28
上传用户：waitingfy
一维等离子的FDTD的MATLAB程序，主要是等离子体光子晶体仿真。
标签： MATLAB FDTD 等离子 程序
上传时间： 2017-06-30
上传用户：kiklkook
电感耦合等离子体质谱中碰撞反应池的模拟探讨_韩建华
标签： 电感耦合 模拟 等离子体 质谱
上传时间： 2019-07-14
上传用户：chen_ying993
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
标签： 机电 发光 显示器件
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
电源
标签： 三星V3 等离子屏 电源 检修
上传时间： 2013-10-29
上传用户：123312
根据多用等鸯子切焊机的开关电源变压器漏盛大的特点，采用全桥移相电路，并在其两臂之间串联D—L—R电路，实现摹电匾切换。
标签： 多用 切焊机 主电路 等离子
上传时间： 2013-10-24
上传用户：432234
电源的工作原理其实就是D类功率放大器，即串联型电压开关放大器，如图1．36所示。
标签： 等离子 电源 工作原理
上传时间： 2013-11-08
上传用户：ks201314
C51 DOS与WINDOWS环境下，开发MCS51系列机器的VFD（等离子显示器）的驱动程序
标签： WINDOWS C51 DOS 环境
上传时间： 2014-08-27
上传用户：fredguo
